• 參數(shù)資料
    型號: IRF6641TR1PBF
    廠商: International Rectifier
    英文描述: DirectFET TM MOSFET
    中文描述: 商標的DirectFET MOSFET的
    文件頁數(shù): 6/9頁
    文件大?。?/td> 260K
    代理商: IRF6641TR1PBF
    6
    www.irf.com
    V
    GS
    D.U.T.
    V
    DS
    I
    D
    I
    G
    3mA
    V
    GS
    .3
    μ
    F
    50K
    .2
    μ
    F
    12V
    Current Regulator
    Same Type as D.U.T.
    Current Sampling Resistors
    +
    -
    Fig 14a.
    Gate Charge Test Circuit
    Fig 14b.
    Gate Charge Waveform
    Vds
    Vgs
    Id
    Vgs(th)
    Qgs1 Qgs2
    Qgd
    Qgodr
    Fig 15b.
    Unclamped Inductive Waveforms
    tp
    V
    (BR)DSS
    I
    AS
    Fig 15a.
    Unclamped Inductive Test Circuit
    Fig 16b.
    Switching Time Waveforms
    V
    GS
    V
    DS
    90%
    10%
    t
    d(on)
    t
    d(off)
    t
    r
    t
    f
    Fig 16a.
    Switching Time Test Circuit
    R
    G
    I
    AS
    0.01
    t
    p
    D.U.T
    L
    VDS
    +
    -V
    DD
    DRIVER
    A
    15V
    20V
    ≤ 1
    ≤ 0.1 %
    +
    -
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    PDF描述
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    IRF6644PBF DirectFET Power MOSFET
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    參數(shù)描述
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    IRF6641TRPBF 功能描述:MOSFET 200V 1 N-CH HEXFET 59.9mOhms 34nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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    IRF6643TRPBF 功能描述:MOSFET 150V 1 N-CH HEXFET 34.5mOhms 39nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube