參數(shù)資料
型號： IRF6641TR1PBF
廠商： International Rectifier
英文描述： DirectFET TM MOSFET
中文描述： 商標的DirectFET MOSFET的
文件頁數(shù)： 2/9頁
文件大?。?/td> 260K
代理商： IRF6641TR1PBF
2
www.irf.com
S
D
G
Repetitive rating; pulse width limited by max. junction temperature.
Pulse width
≤
400μs; duty cycle
≤
2%.
Electrical Characteristic @ T
J
= 25°C (unless otherwise specified)
Parameter
BV
DSS
Drain-to-Source Breakdown Voltage
Β
V
DSS
/
T
J
Breakdown Voltage Temp. Coefficient
R
DS(on)
Static Drain-to-Source On-Resistance
V
GS(th)
Gate Threshold Voltage
V
GS(th)
/
T
J
Gate Threshold Voltage Coefficient
I
DSS
Drain-to-Source Leakage Current
Min.
200
–––
–––
3.0
–––
–––
–––
–––
–––
13
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
Typ.
–––
0.23
51
4.0
-11
–––
–––
–––
–––
–––
34
8.7
1.9
9.5
14
11
12
1.0
16
11
31
6.5
2290
240
46
1780
100
Max.
–––
–––
59.9
4.9
–––
20
250
100
-100
–––
48
–––
–––
14
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
Units
V
V/°C
m
V
mV/°C
μA
I
GSS
Gate-to-Source Forward Leakage
Gate-to-Source Reverse Leakage
Forward Transconductance
Total Gate Charge
Pre-Vth Gate-to-Source Charge
Post-Vth Gate-to-Source Charge
Gate-to-Drain Charge
Gate Charge Overdrive
Switch Charge (Q
gs2
+ Q
gd
)
Output Charge
Gate Resistance
Turn-On Delay Time
Rise Time
Turn-Off Delay Time
Fall Time
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
Output Capacitance
Output Capacitance
nA
gfs
Q
g
S
Q
gs1
Q
gs2
Q
gd
Q
godr
Q
sw
Q
oss
R
G
t
d(on)
t
r
t
d(off)
t
f
C
iss
C
oss
C
rss
C
oss
C
oss
Diode Characteristics
nC
See Fig. 15
nC
ns
pF
Parameter
Continuous Source Current
(Body Diode)
Pulsed Source Current
(Body Diode)
Diode Forward Voltage
Reverse Recovery Time
Reverse Recovery Charge
Min.
–––
Typ.
–––
Max.
26
Units
I
S
A
I
SM
–––
–––
37
V
SD
t
rr
Q
rr
–––
–––
–––
–––
85
320
1.3
130
480
V
ns
nC
I
D
= 5.5A
V
DS
= 160V, V
GS
= 0V, T
J
= 125°C
V
GS
= 20V
V
GS
= -20V
V
DS
= 10V, I
D
= 5.5A
V
GS
= 10V
V
DS
= 100V
T
J
= 25°C, I
F
= 5.5A, V
DD
= 100V
di/dt = 100A/μs
T
J
= 25°C, I
S
= 5.5A, V
GS
= 0V
showing the
integral reverse
p-n junction diode.
V
DS
= V
GS
, I
D
= 150μA
V
DS
= 200V, V
GS
= 0V
Conditions
V
GS
= 0V, I
D
= 250μA
Reference to 25°C, I
D
= 1mA
V
GS
= 10V, I
D
= 5.5A
V
DS
= 16V, V
GS
= 0V
V
DD
= 100V, V
GS
= 10V
I
D
= 5.5A
R
G
= 6.2
V
GS
= 0V
V
DS
= 25V
= 1.0MHz
V
GS
= 0V, V
DS
= 1.0V, f=1.0MHz
MOSFET symbol
Conditions
V
GS
= 0V, V
DS
= 160V, f=1.0MHz
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