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參數(shù)資料
| 型號： | IRF6623 |
| 廠商： | International Rectifier |
| 英文描述： | HEXFET Power MOSFET |
| 中文描述： | HEXFET功率MOSFET |
| 文件頁數(shù)： | 3/8頁 |
| 文件大小： | 170K |
| 代理商： | IRF6623 |
www.irf.com
3
Fig 2.
Typical Output Characteristics
Fig 1.
Typical Output Characteristics
Fig 3.
Typical Transfer Characteristics
Fig 4.
Normalized On-Resistance vs. Temperature
0.1
1
10
100
VDS, Drain-to-Source Voltage (V)
0.1
1
10
100
1000
ID
≤
60μs PULSE WIDTH
Tj = 25°C
2.5V
VGS
10V
5.0V
4.5V
4.0V
3.5V
3.0V
2.8V
2.5V
TOP
BOTTOM
0.1
1
10
100
VDS, Drain-to-Source Voltage (V)
1
10
100
1000
ID
≤
60μs PULSE WIDTH
Tj = 150°C
2.5V
VGS
10V
5.0V
4.5V
4.0V
3.5V
3.0V
2.8V
2.5V
TOP
BOTTOM
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
5.0
VGS, Gate-to-Source Voltage (V)
0.1
1.0
10.0
100.0
1000.0
ID
(
)
VDS = 10V
≤
60μs PULSE WIDTH
TJ = 25°C
TJ = 150°C
-60 -40 -20
0
20
40
60
80 100 120 140 160
TJ , Junction Temperature (°C)
0.5
1.0
1.5
RD
ID = 15A
VGS = 10V
Fig 6.
Typical Gate Charge vs.Gate-to-Source Voltage
Fig 5.
Typical Capacitance vs.Drain-to-Source Voltage
1
10
100
VDS, Drain-to-Source Voltage (V)
100
1000
10000
C
Coss
Crss
Ciss
VGS = 0V, f = 1 MHZ
Ciss = Cgs + Cgd, Cds SHORTED
Crss = Cgd
Coss = Cds + Cgd
0
10
20
30
QG Total Gate Charge (nC)
0
2
4
6
8
10
12
VG
VDS= 20V
VDS= 10V
ID= 11A
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRF6628PBF | DirectFET Power MOSFET |
| IRF6628TRPBF | DirectFET Power MOSFET |
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