參數(shù)資料
型號： IRF6619
廠商： International Rectifier
英文描述： DirectFET Power MOSFET
中文描述： DirectFET功率MOSFET
文件頁數(shù)： 7/9頁
文件大小： 292K
代理商： IRF6619
www.irf.com
7
DirectFET
(Medium Size Can, X-Designation).
Please see DirectFET application note AN-1035 for all details regarding the assembly of DirectFET.
This includes all recommendations for stencil and substrate designs.
Substrate and PCB Layout, MX Outline
Fig 20.
! "!#$"
for N-Channel
HEXFET Power MOSFETs
P.W.
Period
di/dt
Diodedv/dt
Ripple
≤
5%
Body Diode
Forward Drop
Re-Applied
Reverse
Body Current
V
GS
=10V
V
DD
I
SD
Driver Gate Drive
D.U.T. I
SD
Waveform
D.U.T. V
DS
Waveform
Inductor Curent
D =
P.W.
Period
%
%
!"!!
!"!!%"
#$$
+
-
+
+
+
-
-
-
V
GS
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PDF描述
IRF6623 HEXFET Power MOSFET
IRF6628PBF DirectFET Power MOSFET
IRF6628TRPBF DirectFET Power MOSFET
IRF6633 DirectFET Power MOSFET
IRF6635 DirectFET Power MOSFET
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參數(shù)描述
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IRF6619PBF 制造商:IRF 制造商全稱:International Rectifier 功能描述:DirectFET Power MOSFET
IRF6619TR1 功能描述:MOSFET 20V 1 N-CH 1.65mOhm DirectFET 2.0V VGS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRF6619TR1PBF 功能描述:MOSFET 20V 1 N-CH 1.65mOhm DirectFET 2.0V VGS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRF6619TR1PBF 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET
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