參數資料
型號： IRF3711ZCL
廠商： International Rectifier
英文描述： HEXFET Power MOSFET
中文描述： HEXFET功率MOSFET
文件頁數： 5/11頁
文件大?。?/td> 284K
代理商： IRF3711ZCL
www.irf.com
5
Fig 11.
Maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction-to-Case
Fig 9.
Maximum Drain Current vs.
Case Temperature
Fig 10.
Threshold Voltage vs. Temperature
25
50
75
100
125
150
175
TC , Case Temperature (°C)
0
20
40
60
80
100
ID
LIMITED BY PACKAGE
-75 -50 -25
0
25
50
75 100 125 150 175 200
TJ , Temperature ( °C )
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
2.4
VG
ID = 250μA
1E-006
1E-005
0.0001
0.001
0.01
0.1
t1 , Rectangular Pulse Duration (sec)
0.001
0.01
0.1
1
10
T
0.20
0.10
D = 0.50
0.02
0.01
0.05
SINGLE PULSE
( THERMAL RESPONSE )
Notes:
1. Duty Factor D = t1/t2
2. Peak Tj = P dm x Zthjc + Tc
Ri (°C/W)
τ
i (sec)
0.894 0.000306
0.600 0.001019
0.401 0.006662
τ
J
τ
J
τ
1
τ
1
τ
2
τ
2
τ
3
τ
3
R
1
R
1
R
2
R
2
R
3
R
3
τ
τ
C
Ci=
τ
i
/
Ri
Ci=
τ
i
/
Ri
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