參數(shù)資料
型號： IRF3711ZCL
廠商： International Rectifier
英文描述： HEXFET Power MOSFET
中文描述： HEXFET功率MOSFET
文件頁數(shù)： 4/11頁
文件大?。?/td> 284K
代理商： IRF3711ZCL
4
www.irf.com
Fig 8.
Maximum Safe Operating Area
Fig 6.
Typical Gate Charge vs.
Gate-to-Source Voltage
Fig 5.
Typical Capacitance vs.
Drain-to-Source Voltage
Fig 7.
Typical Source-Drain Diode
Forward Voltage
1
10
100
VDS, Drain-to-Source Voltage (V)
100
1000
10000
C
Coss
Crss
Ciss
VGS = 0V, f = 1 MHZ
Ciss = Cgs + Cgd, Cds SHORTED
Crss = Cgd
Coss = Cds + Cgd
0
5
10
15
20
25
30
35
40
QG Total Gate Charge (nC)
0
2
4
6
8
10
12
VG
VDS= 15V
VDS= 10V
ID= 12A
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
VSD, Source-toDrain Voltage (V)
0.1
1.0
10.0
100.0
1000.0
IS
TJ = 25°C
TJ = 175°C
VGS = 0V
0
1
10
100
VDS , Drain-toSource Voltage (V)
1
10
100
1000
10000
ID
Tc = 25°C
Tj = 175°C
Single Pulse
1msec
10msec
OPERATION IN THIS AREA
LIMITED BY RDS(on)
100μsec
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRF3711ZCS HEXFET Power MOSFET
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IRF3711S Power MOSFET(Vdss=20V, Rds(on)max=6.0mohm, Id=110A)
IRF3717 HEXFETPower MOSFET
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參數(shù)描述
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