參數(shù)資料
型號(hào)： IRF3711ZCL
廠商： International Rectifier
英文描述： HEXFET Power MOSFET
中文描述： HEXFET功率MOSFET
文件頁數(shù)： 1/11頁
文件大?。?/td> 284K
代理商： IRF3711ZCL
www.irf.com
1
10/07/03
HEXFET Power MOSFET
V
DSS
R
DS(on)
max
20V
6.0m
Notes
through are on page 11
Applications
High Frequency Synchronous Buck
Converters for Computer Processor Power
Benefits
Low R
DS(on)
at 4.5V V
GS
Ultra-Low Gate Impedance
Fully Characterized Avalanche Voltage
and Current
Qg
16nC
IRF3711ZCS
IRF3711ZCL
D
2
Pak
IRF3711ZCS
TO-262
IRF3711ZCL
Absolute Maximum Ratings
Parameter
Units
V
V
DS
V
GS
I
D
@ T
C
= 25°C
I
D
@ T
C
= 100°C
I
DM
P
D
@T
C
= 25°C
P
D
@T
C
= 100°C
Drain-to-Source Voltage
Gate-to-Source Voltage
Continuous Drain Current, V
GS
@ 10V
Continuous Drain Current, V
GS
@ 10V
Pulsed Drain Current
A
Maximum Power Dissipation
Maximum Power Dissipation
W
Linear Derating Factor
Operating Junction and
Storage Temperature Range
W/°C
°C
T
J
T
STG
Soldering Temperature, for 10 seconds
Thermal Resistance
Parameter
Typ.
–––
–––
Max.
1.89
40
Units
°C/W
R
θ
JC
R
θ
JA
Junction-to-Case
Junction-to-Ambient (PCB Mount)
300 (1.6mm from case)
-55 to + 175
79
40
0.53
Max.
20
92
65
380
± 20
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRF3711ZCS HEXFET Power MOSFET
IRF3711 Power MOSFET(Vdss=20V, Rds(on)max=6.0mohm, Id=110A)
IRF3711L Power MOSFET(Vdss=20V, Rds(on)max=6.0mohm, Id=110A)
IRF3711S Power MOSFET(Vdss=20V, Rds(on)max=6.0mohm, Id=110A)
IRF3717 HEXFETPower MOSFET
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參數(shù)描述
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IRF3711ZCS 功能描述:MOSFET N-CH 20V 92A D2PAK RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
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