參數(shù)資料
型號(hào)： IRF3711S
廠商： International Rectifier
英文描述： Power MOSFET(Vdss=20V, Rds(on)max=6.0mohm, Id=110A)
中文描述： 功率MOSFET（減振鋼板基本\u003d 20V的，的Rds（on）最大值\u003d 6.0mohm，身份證\u003d已廢除）
文件頁(yè)數(shù)： 1/11頁(yè)
文件大?。?/td> 245K
代理商： IRF3711S
Symbol
V
DS
V
GS
I
D
@ T
C
= 25°C
I
D
@ T
C
= 100°C
I
DM
P
D
@T
C
= 25°C
P
D
@T
A
= 25°C
Linear Derating Factor 0.96
T
J
, T
STG
Junction and Storage Temperature Range
Parameter
Max.
20
Units
V
Drain-Source Voltage
Gate-to-Source Voltage
Continuous Drain Current, V
GS
@ 10V
Continuous Drain Current, V
GS
@ 10V
Pulsed Drain Current
Maximum Power Dissipation
Maximum Power Dissipation
± 20 V
110
69
440
120
3.1
A
W
W
W/°C
°C
-55 to + 150
www.irf.com
1
11/15/01
IRF3711
IRF3711S
IRF3711L
SMPS MOSFET
HEXFET
Power MOSFET
R
DS(on)
max
6.0m
V
DSS
20V
I
D
110A
Notes
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Absolute Maximum Ratings
D
2
Pak
IRF3711S
TO-220AB
IRF3711
TO-262
IRF3711L
Thermal Resistance
Parameter
Typ.
–––
0.50
–––
–––
Max.
1.04
–––
62
40
Units
R
θ
JC
R
θ
CS
R
θ
JA
R
θ
JA
Junction-to-Case
Case-to-Sink, Flat, Greased Surface
Junction-to-Ambient
Junction-to-Ambient (PCB mount)
°
C/W
Applications
High Frequency Isolated DC-DC
Converters with Synchronous Rectification
for Telecom and Industrial Use
High Frequency Buck Converters for
Server Processor Power Synchronous FET
Optimized for Synchronous Buck
Converters Including Capacitive Induced
Turn-on Immunity
Benefits
Ultra-Low Gate Impedance
Very Low RDS(on) at 4.5V V
GS
Fully Characterized Avalanche Voltage
and Current
PD- 94062B
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRF3717 HEXFETPower MOSFET
IRF3805S-7P AUTOMOTIVE MOSFET
IRF3808PBF HEXFET Power MOSFET
IRF3808 Power MOSFET(Vdss=75V, Rds(on)=0.007ohm, Id=140A)
IRF4000 IEEE 802.3af Compliant PoE Switch in Power Sourcing Equipment
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IRF3711SHR 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 20V 110A 3PIN D2PAK - Bulk
IRF3711SPBF 功能描述:MOSFET 20V 1 N-CH HEXFET 6mOhms 29nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRF3711STRL 功能描述:MOSFET N-CH 20V 110A D2PAK RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開(kāi)態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
IRF3711STRLHR 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 20V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 20V 110A 3PIN D2PAK - Tape and Reel
IRF3711STRLPBF 功能描述:MOSFET 20V 1 N-CH HEXFET 6mOhms 29nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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