參數(shù)資料
型號： IRF4000
廠商： International Rectifier
英文描述： IEEE 802.3af Compliant PoE Switch in Power Sourcing Equipment
中文描述： IEEE 802.3af標(biāo)準(zhǔn)PoE交換機(jī)的供電設(shè)備
文件頁數(shù)： 1/7頁
文件大小： 579K
代理商： IRF4000
www.irf.com
1
10/07/05
IRF4000
HEXFET Power MOSFET
R
DS(on)
max
270m @V
GS
= 12V
350m @V
GS
= 10V
Notes
through are on page 7
Applications
IEEE 802.3af Compliant PoE Switch
in Power Sourcing Equipment
Features
Exceeds IEEE 802.3af PoE
requirements
Rugged planar technology with large
SOA
Very Low Leakage
at 100V (1.5μA max)
Fully characterized avalanche voltage
and current
Thermally enhanced
Saves space: replaces 4 discrete
MOSFETs
Absolute Maximum Ratings
Parameter
Units
V
V
DS
V
GS
I
D
@ T
A
= 25°C
I
D
@ T
A
= 70°C
I
DM
P
D
@T
A
= 25°C
Drain-to-Source Voltage
Gate-to-Source Voltage
Continuous Drain Current, V
GS
@ 10V
Continuous Drain Current, V
GS
@ 10V
Pulsed Drain Current
Maximum Power Dissipation
A
W
Linear Derating Factor
Peak Diode Recovery dv/dt
Operating Junction and
Storage Temperature Range
W/°C
V/ns
°C
dv/dt
T
J
T
STG
Thermal Resistance
Parameter
Typ.
–––
–––
Max.
1.5
36
Units
R
θ
JL
R
θ
JA
Junction-to-Drain Lead
Junction-to-Ambient (PCB Mount)
°C/W
3.5
Max.
100
± 30
2.4
1.9
19
8.6
-55 to + 150
0.028
5mm x 10mm Power MLP
IRF4000 ISOMETRIC
V
DSS
I
D
2.4A
100V
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRF4104LPBF HEXFET㈢ Power MOSFET
IRF4104PBF HEXFET㈢ Power MOSFET
IRF4104SPBF HEXFET㈢ Power MOSFET
IRF4905PBF HEXFET Power MOSFET
IRF520NLPBF Advamced {rpcess Technology Surface Mount
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IRF40N03 制造商:SUNTAC 制造商全稱:SUNTAC 功能描述:N-CHANNEL Power MOSFET
IRF4104 功能描述:MOSFET N-CH 40V 75A TO-220AB RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
IRF4104GPBF 功能描述:MOSFET 40V HALOGEN-FREE 1 N-CH HEXFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRF4104HR 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 40V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
IRF4104L 功能描述:MOSFET N-CH 40V 75A TO-262 RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺，查看報價

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺，查看報價

*型號 *數(shù)量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*