參數(shù)資料
型號： IRF4000
廠商： International Rectifier
英文描述： IEEE 802.3af Compliant PoE Switch in Power Sourcing Equipment
中文描述： IEEE 802.3af標準PoE交換機的供電設備
文件頁數(shù)： 2/7頁
文件大小： 579K
代理商： IRF4000
IRF4000
2
www.irf.com
S
D
G
Static @ T
J
= 25°C (unless otherwise specified)
Parameter
V
(BR)DSS
Drain-to-Source Breakdown Voltage
V
(BR)DSS
/
T
J
Breakdown Voltage Temp. Coefficient
R
DS(on)
Static Drain-to-Source On-Resistance
Min.
100
–––
–––
–––
3.5
–––
–––
–––
–––
Typ. Max. Units
–––
–––
0.19
–––
230
270
270
350
–––
5.7
–––
1.5
–––
10
–––
100
–––
-100
V
V/°C
m
V
GS(th)
I
DSS
Gate Threshold Voltage
Drain-to-Source Leakage Current
V
μA
I
GSS
Gate-to-Source Forward Leakage
Gate-to-Source Reverse Leakage
nA
Dynamic @ T
J
= 25°C (unless otherwise specified)
Parameter
gfs
Forward Transconductance
Q
g
Total Gate Charge
Q
gs
Gate-to-Source Charge
Q
gd
Gate-to-Drain ("Miller") Charge
t
d(on)
Turn-On Delay Time
t
r
Rise Time
t
d(off)
Turn-Off Delay Time
t
f
Fall Time
C
iss
Input Capacitance
C
oss
Output Capacitance
C
rss
Reverse Transfer Capacitance
C
oss
Output Capacitance
C
oss
Output Capacitance
C
oss
eff.
Effective Output Capacitance
Avalanche Characteristics
Parameter
E
AS
Single Pulse Avalanche Energy
I
AR
Avalanche Current
Diode Characteristics
Parameter
I
S
Continuous Source Current
(Body Diode)
I
SM
Pulsed Source Current
(Body Diode)
V
SD
Diode Forward Voltage
t
rr
Reverse Recovery Time
Q
rr
Reverse Recovery Charge
t
on
Forward Turn-On Time
Min.
1.6
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
Typ. Max. Units
–––
–––
9.4
14
2.8
4.2
4.5
6.8
8.7
–––
1.5
–––
13
–––
6.1
–––
330
–––
77
–––
18
–––
410
–––
45
–––
89
–––
S
nC
ns
pF
Units
mJ
A
Min.
–––
Typ. Max. Units
–––
3.2
A
–––
–––
19
–––
–––
–––
Intrinsic turn-on time is negligible (turn-on is dominated by LS+LD)
–––
67
180
1.3
100
270
V
ns
nC
V
GS
= 0V, V
DS
= 0V to 80V
V
GS
= 10V
V
DD
= 50V
I
D
= 1.4A
R
G
= 6.2
V
GS
= 10V
V
GS
= 0V
V
DS
= 25V
= 1.0MHz
V
GS
= 0V, V
DS
= 1.0V, = 1.0MHz
V
GS
= 0V, V
DS
= 80V, = 1.0MHz
T
J
= 25°C, I
S
= 1.4A, V
GS
= 0V
T
J
= 25°C, I
F
= 1.4A, V
DD
= 25V
di/dt = 100A/μs
Conditions
V
GS
= 0V, I
D
= 250μA
Reference to 25°C, I
D
= 1mA
V
GS
= 12V, I
D
= 2.4A
V
GS
= 10V, I
D
= 2.4A
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250μA
V
DS
= 100V, V
GS
= 0V
V
DS
= 80V, V
GS
= 0V, T
J
= 125°C
V
GS
= 30V
V
GS
= -30V
MOSFET symbol
showing the
integral reverse
p-n junction diode.
Conditions
8.7
1.4
Max.
Typ.
–––
–––
Conditions
V
DS
= 25V, I
D
= 1.4A
I
D
= 1.4A
V
DS
= 80V
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