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參數(shù)資料
| 型號： | IRF3711ZCL |
| 廠商： | International Rectifier |
| 英文描述： | HEXFET Power MOSFET |
| 中文描述： | HEXFET功率MOSFET |
| 文件頁數(shù)： | 11/11頁 |
| 文件大小： | 284K |
| 代理商： | IRF3711ZCL |
www.irf.com
11
Data and specifications subject to change without notice.
This product has been designed and qualified for the Consumer market.
Qualification Standards can be found on IR’s Web site.
IR WORLD HEADQUARTERS:
233 Kansas St., El Segundo, California 90245, USA Tel: (310) 252-7105
TAC Fax: (310) 252-7903
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.
10/03
Repetitive rating; pulse width limited by
max. junction temperature.
Starting T
J
= 25°C, L = 1.8mH, R
G
= 25
,
I
AS
= 12A.
Pulse width
≤
400μs; duty cycle
≤
2%.
This is applied to D
2
Pak, when mounted on 1" square PCB (FR-
4 or G-10 Material). For recommended footprint and soldering
techniques refer to application note #AN-994.
Calculated continuous current based on maximum allowable
junction temperature. Package limitation current is 30A.
3
4
4
TRR
FEED DIRECTION
1.85 (.073)
1.65 (.065)
1.60 (.063)
1.50 (.059)
4.10 (.161)
TRL
FEED DIRECTION
10.90 (.429)
10.70 (.421)
16.10 (.634)
15.90 (.626)
1.75 (.069)
1.25 (.049)
11.60 (.457)
11.40 (.449)
15.42 (.609)
15.22 (.601)
4.72 (.136)
4.52 (.178)
24.30 (.957)
23.90 (.941)
0.368 (.0145)
0.342 (.0135)
1.60 (.063)
1.50 (.059)
13.50 (.532)
12.80 (.504)
330.00
(14.173)
MAX.
27.40 (1.079)
23.90 (.941)
60.00 (2.362)
MIN.
30.40 (1.197)
MAX.
26.40 (1.039)
24.40 (.961)
NOTES :
1. COMFORMS TO EIA-418.
2. CONTROLLING DIMENSION: MILLIMETER.
3. DIMENSION MEASURED @ HUB.
4. INCLUDES FLANGE DISTORTION @ OUTER EDGE.
TO-220AB package is not recommended for Surface Mount Application.
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRF3711ZCS | HEXFET Power MOSFET |
| IRF3711 | Power MOSFET(Vdss=20V, Rds(on)max=6.0mohm, Id=110A) |
| IRF3711L | Power MOSFET(Vdss=20V, Rds(on)max=6.0mohm, Id=110A) |
| IRF3711S | Power MOSFET(Vdss=20V, Rds(on)max=6.0mohm, Id=110A) |
| IRF3717 | HEXFETPower MOSFET |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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| IRF3711ZCS | 功能描述:MOSFET N-CH 20V 92A D2PAK RoHS:否 類別:分離式半導體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商設備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |
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| IRF3711ZCSTRL | 功能描述:MOSFET N-CH 20V 92A D2PAK RoHS:否 類別:分離式半導體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商設備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |
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