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參數(shù)資料
| 型號： | IPB11N03LAG |
| 廠商： | INFINEON TECHNOLOGIES AG |
| 英文描述： | OptiMOS㈢2 Power-Transistor |
| 中文描述： | 的OptiMOS㈢2功率晶體管 |
| 文件頁數(shù)： | 8/9頁 |
| 文件大小： | 275K |
| 代理商： | IPB11N03LAG |
IPB11N03LA G
Package Outline
PG-TO263-3-2
PG-TO263-3-2: Outline
Footprint
Packaging
Rev. 1.4
page 8
2006-05-11
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IPB120N06NG | OptiMOS㈢ Power-Transistor |
| IPB13N03LB | OptiMOS㈢2 Power-Transistor |
| IPB14N03LAG | OptiMOS㈢2 Power-Transistor |
| IPB160N04S2-03 | OptiMOS㈢ - T Power-Transistor |
| IPB160N04S2L-03 | OptiMOS㈢ - T Power-Transistor |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| IPB11N03LAGXT | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans MOSFET N-CH 25V 30A 3-Pin(2+Tab) TO-263 |
| IPB11XN20NFD | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述: |
| IPB120N04S302 | 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IPB120N04S3-02 | 功能描述:MOSFET OPTIMOS-T POWER-TRAN 40V 120A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IPB120N04S302ATMA1 | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans MOSFET N-CH 40V 120A 3-Pin(2+Tab) TO-263 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:MOSFET - Tape and Reel 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:MOSFET N-CH 40V 120A TO263-3 |
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