參數(shù)資料
型號： IPB11N03LAG
廠商： INFINEON TECHNOLOGIES AG
英文描述： OptiMOS㈢2 Power-Transistor
中文描述： 的OptiMOS㈢2功率晶體管
文件頁數(shù)： 1/9頁
文件大小： 275K
代理商： IPB11N03LAG
IPB11N03LA G
Opti
MOS
2 Power-Transistor
Features
Ideal for high-frequency dc/dc converters
Qualified according to JEDEC
1)
for target application
N-channel
Logic level
Excellent gate charge x
R
DS(on)
product (FOM)
Very low on-resistance
R
DS(on)
Superior thermal resistance
175 °C operating temperature
d
v
/d
t
rated
Pb-free lead plating; RoHS compliant
Maximum ratings,
at
T
j
=25 °C, unless otherwise specified
Parameter
Symbol Conditions
Unit
Continuous drain current
I
D
T
C
=25 °C
2)
30
A
T
C
=100 °C
30
Pulsed drain current
I
D,pulse
T
C
=25 °C
3)
210
Avalanche energy, single pulse
E
AS
I
D
=30 A,
R
GS
=25
80
mJ
Reverse diode d
v
/d
t
d
v
/d
t
I
D
=30 A,
V
DS
=20 V,
d
i
/d
t
=200 A/μs,
T
j,max
=175 °C
6
kV/μs
Gate source voltage
4)
V
GS
±20
V
Power dissipation
P
tot
T
C
=25 °C
52
W
Operating and storage temperature
T
j
,
T
stg
-55 ... 175
°C
IEC climatic category; DIN IEC 68-1
55/175/56
1)
J-STD20 and JESD22
Value
V
DS
25
V
R
DS(on),max
(SMD version)
11.2
m
I
D
30
A
Product Summary
PG-TO263-3-2
Type
Package
Marking
IPB11N03LA G
PG-TO263-3-2
11N03LA
Rev. 1.4
page 1
2006-05-11
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IPB120N06NG OptiMOS㈢ Power-Transistor
IPB13N03LB OptiMOS㈢2 Power-Transistor
IPB14N03LAG OptiMOS㈢2 Power-Transistor
IPB160N04S2-03 OptiMOS㈢ - T Power-Transistor
IPB160N04S2L-03 OptiMOS㈢ - T Power-Transistor
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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IPB120N04S3-02 功能描述:MOSFET OPTIMOS-T POWER-TRAN 40V 120A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IPB120N04S302ATMA1 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans MOSFET N-CH 40V 120A 3-Pin(2+Tab) TO-263 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:MOSFET - Tape and Reel 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:MOSFET N-CH 40V 120A TO263-3
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