參數(shù)資料
型號(hào)： IPB160N04S2-03
廠商： INFINEON TECHNOLOGIES AG
英文描述： OptiMOS㈢ - T Power-Transistor
中文描述： 的OptiMOS㈢ -筆電晶體管
文件頁數(shù)： 1/8頁
文件大?。?/td> 157K
代理商： IPB160N04S2-03
IPB160N04S2-03
Opti
MOS
- T Power-Transistor
Features
N-channel - Enhancement mode
Automotive AEC Q101 qualified
MSL1 up to 260°C peak reflow
175°C operating temperature
Green package (lead free)
Ultra low Rds(on)
100% Avalanche tested
Maximum ratings,
at
T
j
=25 °C, unless otherwise specified
Parameter
Symbol Conditions
Unit
Continuous drain current
I
D
T
C
=25 °C
160
A
T
C
=100 °C
2)
160
Pulsed drain current
2)
I
D,pulse
T
C
=25 °C
640
Avalanche energy, single pulse
E
AS
I
D
=80A
810
mJ
Gate source voltage
V
GS
±20
V
Power dissipation
P
tot
T
C
=25 °C
300
W
Operating and storage temperature
T
j
,
T
stg
-55 ... 175
°C
IEC climatic category; DIN IEC 68-1
55/175/56
Value
V
DS
40
V
R
DS(on),max
2.9
m
I
D
160
A
Product Summary
Type
Package
Ordering Code
Marking
IPB160N04S2-03
PG-TO263-7-3
SP0002-18151
P2N0403
PG-TO263-7-3
Rev. 1.0
page 1
2006-03-02
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IPB160N04S2L-03 OptiMOS㈢ - T Power-Transistor
IPB35CN10NG OptiMOS㈢2 Power-Transistor
IPD33CN10NG OptiMOS㈢2 Power-Transistor
IPI35CN10NG OptiMOS㈢2 Power-Transistor
IPB60R099CP CoolMOS Power Transistor
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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