參數(shù)資料
型號(hào)： IPB160N04S2-03
廠商： INFINEON TECHNOLOGIES AG
英文描述： OptiMOS㈢ - T Power-Transistor
中文描述： 的OptiMOS㈢ -筆電晶體管
文件頁數(shù)： 7/8頁
文件大?。?/td> 157K
代理商： IPB160N04S2-03
IPB160N04S2-03
13 Typ. avalanche energy
14 Typ. gate charge
E
AS
=f(T
J
)
V
GS
=f(
Q
gate
);
I
D
=160A pulsed
parameter:
I
D
=80A,
V
DD
=25V
parameter:
V
DD
15 Drain-source breakdown voltage
16 Gate charge waveforms
V
BR(DSS)
=f(
T
j
);
I
D
=1 mA
8V
32V
0
2
4
6
8
10
12
0
20
40
60
80
100
120
Q
gate
[nC]
V
G
35
37
39
41
43
45
47
-60
-20
20
60
100
140
180
T
j
[°C]
V
B
V
GS
Q
gate
V
gs(th)
Q
g(th)
Q
gs
Q
gd
Q
sw
Q
g
0
100
200
300
400
500
600
700
800
900
25
75
125
175
T
J
[°C]
E
A
Rev. 1.0
page 7
2006-03-02
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IPB160N04S2L-03 OptiMOS㈢ - T Power-Transistor
IPB35CN10NG OptiMOS㈢2 Power-Transistor
IPD33CN10NG OptiMOS㈢2 Power-Transistor
IPI35CN10NG OptiMOS㈢2 Power-Transistor
IPB60R099CP CoolMOS Power Transistor
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參數(shù)描述
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