型號: | IPB11N03LAG |
廠商: | INFINEON TECHNOLOGIES AG |
英文描述: | OptiMOS㈢2 Power-Transistor |
中文描述: | 的OptiMOS㈢2功率晶體管 |
文件頁數(shù): | 3/9頁 |
文件大小: | 275K |
代理商: | IPB11N03LAG |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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IPB120N06NG | OptiMOS㈢ Power-Transistor |
IPB13N03LB | OptiMOS㈢2 Power-Transistor |
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IPB160N04S2-03 | OptiMOS㈢ - T Power-Transistor |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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IPB11N03LAGXT | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans MOSFET N-CH 25V 30A 3-Pin(2+Tab) TO-263 |
IPB11XN20NFD | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述: |
IPB120N04S302 | 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
IPB120N04S3-02 | 功能描述:MOSFET OPTIMOS-T POWER-TRAN 40V 120A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
IPB120N04S302ATMA1 | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans MOSFET N-CH 40V 120A 3-Pin(2+Tab) TO-263 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:MOSFET - Tape and Reel 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:MOSFET N-CH 40V 120A TO263-3 |