參數(shù)資料
型號(hào)： IPB13N03LB
廠商： INFINEON TECHNOLOGIES AG
英文描述： OptiMOS㈢2 Power-Transistor
中文描述： 的OptiMOS㈢2功率晶體管
文件頁(yè)數(shù)： 1/9頁(yè)
文件大小： 289K
代理商： IPB13N03LB
IPB13N03LB
Opti
MOS
2 Power-Transistor
Features
Ideal for high-frequency dc/dc converters
Qualified according to JEDEC
1)
for target applications
N-channel - Logic level
Excellent gate charge x
R
DS(on)
product (FOM)
Very low on-resistance
R
DS(on)
Superior thermal resistance
175 °C operating temperature
d
v
/d
t
rated
Pb-free lead plating; RoHS compliant
Maximum ratings,
at
T
j
=25 °C, unless otherwise specified
Parameter
Symbol Conditions
Unit
Continuous drain current
I
D
T
C
=25 °C
2)
30
A
T
C
=100 °C
30
Pulsed drain current
I
D,pulse
T
C
=25 °C
3)
120
Avalanche energy, single pulse
E
AS
I
D
=30 A,
R
GS
=25
64
mJ
Reverse diode d
v
/d
t
d
v
/d
t
I
D
=30 A,
V
DS
=20 V,
d
i
/d
t
=200 A/μs,
T
j,max
=175 °C
6
kV/μs
Gate source voltage
4)
V
GS
±20
V
Power dissipation
P
tot
T
C
=25 °C
52
W
Operating and storage temperature
T
j
,
T
stg
-55 ... 175
°C
IEC climatic category; DIN IEC 68-1
55/175/56
1)
J-STD20 and JESD22
Value
V
DS
30
V
R
DS(on),max
12.5
m
I
D
30
A
Product Summary
PG-TO263-3
Type
Package
Marking
IPB13N03LB
P-TO263-3
13N03LB
Rev. 0.93
page 1
2006-05-10
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IPB14N03LAG OptiMOS㈢2 Power-Transistor
IPB160N04S2-03 OptiMOS㈢ - T Power-Transistor
IPB160N04S2L-03 OptiMOS㈢ - T Power-Transistor
IPB35CN10NG OptiMOS㈢2 Power-Transistor
IPD33CN10NG OptiMOS㈢2 Power-Transistor
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IPB13N03LB G 功能描述:MOSFET N-CH 30V 30A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IPB13N03LBG 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述: 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:
IPB13N03LBGXT 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans MOSFET N-CH 30V 30A 3-Pin(2+Tab) TO-263
IPB144N12N3 G 功能描述:MOSFET N-Channel 120V MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IPB144N12N3G 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:120V,56A,N Channel Power MOSFET 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:120V,56A,N-channel power MOSFET
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