參數(shù)資料
型號(hào)： IPB13N03LB
廠商： INFINEON TECHNOLOGIES AG
英文描述： OptiMOS㈢2 Power-Transistor
中文描述： 的OptiMOS㈢2功率晶體管
文件頁(yè)數(shù)： 6/9頁(yè)
文件大?。?/td> 289K
代理商： IPB13N03LB
IPB13N03LB
9 Drain-source on-state resistance
10 Typ. gate threshold voltage
R
DS(on)
=f(
T
j
);
I
D
=30 A;
V
GS
=10 V
V
GS(th)
=f(
T
j
);
V
GS
=
V
DS
parameter:
I
D
11 Typ. Capacitances
12 Forward characteristics of reverse diode
C
=f(
V
DS
);
V
GS
=0 V;
f
=1 MHz
I
F
=f(
V
SD
)
parameter:
T
j
typ
98 %
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
22
24
-60
-20
20
60
100
140
180
T
j
[°C]
R
D
[
]
20 μA
200 μA
0
0.5
1
1.5
2
2.5
-60
-20
20
60
100
140
180
T
j
[°C]
V
G
Ciss
Coss
Crss
10
100
1000
10000
0
5
10
15
20
25
30
V
DS
[V]
C
25 °C
175 °C
25°C 98%
175°C 98%
1
10
100
1000
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
V
SD
[V]
I
F
Rev. 0.93
page 6
2006-05-10
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IPB14N03LAG OptiMOS㈢2 Power-Transistor
IPB160N04S2-03 OptiMOS㈢ - T Power-Transistor
IPB160N04S2L-03 OptiMOS㈢ - T Power-Transistor
IPB35CN10NG OptiMOS㈢2 Power-Transistor
IPD33CN10NG OptiMOS㈢2 Power-Transistor
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IPB13N03LB G 功能描述:MOSFET N-CH 30V 30A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IPB13N03LBG 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述: 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:
IPB13N03LBGXT 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans MOSFET N-CH 30V 30A 3-Pin(2+Tab) TO-263
IPB144N12N3 G 功能描述:MOSFET N-Channel 120V MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IPB144N12N3G 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:120V,56A,N Channel Power MOSFET 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:120V,56A,N-channel power MOSFET
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