參數(shù)資料
型號： IPB11N03LAG
廠商： INFINEON TECHNOLOGIES AG
英文描述： OptiMOS㈢2 Power-Transistor
中文描述： 的OptiMOS㈢2功率晶體管
文件頁數(shù)： 5/9頁
文件大?。?/td> 275K
代理商： IPB11N03LAG
IPB11N03LA G
5 Typ. output characteristics
6 Typ. drain-source on resistance
I
D
=f(
V
DS
);
T
j
=25 °C
R
DS(on)
=f(
I
D
);
T
j
=25 °C
parameter:
V
GS
parameter:
V
GS
7 Typ. transfer characteristics
8 Typ. forward transconductance
I
D
=f(
V
GS
); |
V
DS
|>2|
I
D
|
R
DS(on)max
g
fs
=f(
I
D
);
T
j
=25 °C
parameter:
T
j
3 V
3.2 V
3.5 V
3.8 V
4.1 V
4.5 V
10 V
0
10
20
30
40
0
10
20
30
40
50
60
I
D
[A]
R
D
]
25 °C
175 °C
0
10
20
30
40
50
60
0
1
2
3
4
5
V
GS
[V]
I
D
0
10
20
30
40
50
60
0
10
20
30
40
50
60
I
D
[A]
g
f
2.8 V
3 V
3.2 V
3.5 V
3.8 V
4.1 V
4.5 V
10 V
0
10
20
30
40
50
60
0
1
2
3
V
DS
[V]
I
D
Rev. 1.4
page 5
2006-05-11
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IPB120N06NG OptiMOS㈢ Power-Transistor
IPB13N03LB OptiMOS㈢2 Power-Transistor
IPB14N03LAG OptiMOS㈢2 Power-Transistor
IPB160N04S2-03 OptiMOS㈢ - T Power-Transistor
IPB160N04S2L-03 OptiMOS㈢ - T Power-Transistor
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IPB11N03LAGXT 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans MOSFET N-CH 25V 30A 3-Pin(2+Tab) TO-263
IPB11XN20NFD 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:
IPB120N04S302 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IPB120N04S3-02 功能描述:MOSFET OPTIMOS-T POWER-TRAN 40V 120A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IPB120N04S302ATMA1 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans MOSFET N-CH 40V 120A 3-Pin(2+Tab) TO-263 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:MOSFET - Tape and Reel 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:MOSFET N-CH 40V 120A TO263-3
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