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參數(shù)資料
| 型號： | IHD 280 |
| 廠商： | SIEMENS AG |
| 英文描述： | IGBT And Power-MOSFET(IGBT和功率MOSFET) |
| 中文描述： | IGBT和功率場效應(yīng)晶體管（IGBT的和功率MOSFET的） |
| 文件頁數(shù)： | 8/24頁 |
| 文件大?。?/td> | 243K |
| 代理商： | IHD 280 |
IHD 215/280/680
Datenblatt
Seite 8
Uebersicht
Die intelligenten Halbbrücken-Treiber
der
IHD-Serie
Ansteuermodule
MOSFET's
und
Schaltbetrieb.
sind
universelle
Power-
IGBT's
für
im
Alle
anschlukompatibel
unterscheiden
Treiberleistung
Gatestrom und Leistung des DC/DC-
Wandlers).
IHD-Typen
sind
zueinander
und
der
sich
nur
in
(maximaler
Die IHD-Typen mit den hheren
Ausgangsleistungen
hervorragend für groe Module oder
eine
Anzahl
parallelgeschalteter
Transistoren sowie für Hochfrequenz-
Anwendungen.
eignen
sich
Die intelligenten Halbbrücken-Treiber
der
IHD-Serie
Komplettlsung
Ansteuer- und Schutzprobleme im
Zusammenhang mit Power-MOSFET-
und IGBT-Leistungsstufen dar. Es
werden praktisch keine weiteren
Komponenten in der Steuerschaltung
und im Leistungsteil bentigt.
stellen
für
eine
smtliche
Sicherer Betrieb
Die Gateansteuerung mit positiver
und negativer Steuerspannung (je
nach
Versorgungsspannung zwischen +/-
12V bis +/-15V) erlaubt den sicheren
Betrieb von beliebig groen IGBT-
Modulen eines jeden Herstellers.
Dank
der
groen
welche
durch
Gatespannung erreicht wird, lassen
sich eine Anzahl von Power-MOS-
ge-whlter
Strsicherheit,
die
negative
FET-
parallelschalten, ohne da parasitre
Schaltvorgnge oder Oszillationen zu
befürchten sind.
oder
IGBT-Modulen
Die Bausteine der IHD-Typenreihe
beinhalten für jeden der beiden
Kanle je einmal die galvanische
Trennung
zwischen
Leistungsseite, einen Ueberstrom-
und Kurzschluschutz für die Lei-
stungstransistoren,
Speisungsüberwachung,
Zustandsrückmeldung
galvanisch getrennte Versorgung der
Ansteuerelektronik
integrierten DC/DC-Wandler.
Steuer-
und
eine
sowie
eine
durch
einen
Die beiden Ansteuerkanle arbeiten
unabhngig voneinander, es besteht
keinerlei
gegenseitige
Verknüpfung oder Verriegelung.
logische
Echte galvanische Trennung
Die auf einem transformatorischen
Prinzip
realisierte
Trennung
von
Betriebsspannung
4000V
Prüfspannung)
Steuer- und Leistungsteil sowie die
extrem
hohe
Strsicherheit
mindestens
Mikrosekunde
prdestinieren
Ansteuermodule der IHD-Serie für
Anwendungen, bei welchen groe
Potentialunterschiede
Potentialsprünge
Leistungsteil und Steuerelektronik
auftreten.
galvanische
zu
1000V
(entsprechend
zwischen
bis
von
pro
die
50'000V
und
groe
zwischen
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IHD 680 | IGBT And Power-MOSFET(IGBT和功率MOSFET) |
| IHP10T120 | Low Loss DuoPack : IGBT in Trench and Fieldstop technology with soft, fast recovery anti-parallel EmCon HE diode |
| IHW15N120R2 | Reverse Conducting IGBT with monolithic body diode |
| IHW15N120R | Reverse Conducting IGBT with monolithic body diode |
| IHW15T120 | IGBT in Trench and Fieldstop technology with soft,fast recovery anti-parallel EmCon HE diode |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| IHD28-4.0 | 功能描述:線性和開關(guān)式電源 +28V 4A PWR SPLY RoHS:否 制造商:TDK-Lambda 產(chǎn)品:Switching Supplies 開放式框架/封閉式:Enclosed 輸出功率額定值:800 W 輸入電壓:85 VAC to 265 VAC 輸出端數(shù)量:1 輸出電壓（通道 1）:20 V 輸出電流（通道 1）:40 A 商用/醫(yī)用: 輸出電壓（通道 2）: 輸出電流（通道 2）: 安裝風(fēng)格:Rack 長度: 寬度: 高度: |
| IHD-3 | 制造商:VISHAY 制造商全稱:Vishay Siliconix 功能描述:Filter Inductors |
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