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參數(shù)資料
| 型號： | IHD 280 |
| 廠商： | SIEMENS AG |
| 英文描述： | IGBT And Power-MOSFET(IGBT和功率MOSFET) |
| 中文描述： | IGBT和功率場效應(yīng)晶體管（IGBT的和功率MOSFET的） |
| 文件頁數(shù)： | 19/24頁 |
| 文件大?。?/td> | 243K |
| 代理商： | IHD 280 |
IHD 215/280/680
Datenblatt
Seite 19
CONCEPT
Abschnitt Evaluation-Boards“). Das
Evaluationsboard enthlt auch eine
niederinduktiv aufgebaute Elkobatte-
rie.
erhltlich
(siehe
auch
Wie im Schaltplan angedeutet, sollen
die Ansteuerleitungen mglichst nah
an die IGBT’s angeschlossen werden.
Für Gate und Emitter sind spezielle
Stecker vorgesehen. Leider hat aber
das Modul keine Kollektor-Sense-
Anschlüsse. Für die Vce-Messung
des unteren“ IGBT’s bietet sich der
Hilfsemitter-Anschluss des oberen“
IGBT’s an (siehe auch Abb. 11). Die
Vce-Messung soll keinesfalls an der
Leistungsklemme 1
angschlossen werden, da dieser
Anschlu von der Geometrie her
sehr ungünstig liegt und das di/dt
des Laststroms die Messspannung
verflscht. Für die Vce-Messung des
oberen“ IGBT’s gibt es keine andere
Alternative,
Leistungsklemme 3 zu
(siehe auch Abb. 11). Diese liegt aber
von der Geometrie her günstiger als
die Klemme 1 und das Ergebnis ist
akzeptabel. Der durch das di/dt verur-
sachte
Spannungsabfall
modulinternen
Klemme 3 zum IGBT-Chip ist auch
der Grund, warum die Referenzdiode
Ref2 einen hheren Wert als Ref1
aufweist, so da der Ueberstrom-
schutz bei beiden IGBT’s in etwa bei
gleichen Stromwerten aktiv wird.
des
Moduls
als
die
verwenden
in
der
von
Zuleitung
Leistungs-GND
10
10
1Dm21
Rm2
68
+15V
GND
220n
+15V
GND
MC33151
+
250uF
E2
22
G2
25
21
20
SO1-
2
SO1+
1
SO2+
SO2-
15
16
ME2
19
COM2
24
Cs2
23
Ref2
Cb2
E1
33
G1
36
32
31
ME1
30
COM1
35
Cs1
34
Ref1
Cb1
IN1-
3
IN1+
4
IN2+
IN2-
18
17
GND
9
VCC
10
IHD680AI/AN
4
6
1
3
2
7
5
Q1
BSM200GB120D
+
Cs2
120uF
Ds2
16V
Cb2
330nF
Cm2
4n7
Ref2
6V2
15V
15V
Dm22
SB140
10
10
1Dm11
Rm1
68
+
Cs1
120uF
Ds1
16V
Cb1
330nF
Cm1
4n7
Ref1
5V6
15V
15V
Dm12
SB140
SIEMENS
+400...800Vdc
+15V
+15V
15k
15k
GND
GND
Status1
Status2
oben
unten
Abb. 10 Anwendung eines IHD680AI/AN Phasenzweig eines 80kW-Wechselrichters
Abb. 11 So wird das IGBT-Modul richtig
angeschlossen
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IHD 680 | IGBT And Power-MOSFET(IGBT和功率MOSFET) |
| IHP10T120 | Low Loss DuoPack : IGBT in Trench and Fieldstop technology with soft, fast recovery anti-parallel EmCon HE diode |
| IHW15N120R2 | Reverse Conducting IGBT with monolithic body diode |
| IHW15N120R | Reverse Conducting IGBT with monolithic body diode |
| IHW15T120 | IGBT in Trench and Fieldstop technology with soft,fast recovery anti-parallel EmCon HE diode |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| IHD28-4.0 | 功能描述:線性和開關(guān)式電源 +28V 4A PWR SPLY RoHS:否 制造商:TDK-Lambda 產(chǎn)品:Switching Supplies 開放式框架/封閉式:Enclosed 輸出功率額定值:800 W 輸入電壓:85 VAC to 265 VAC 輸出端數(shù)量:1 輸出電壓（通道 1）:20 V 輸出電流（通道 1）:40 A 商用/醫(yī)用: 輸出電壓（通道 2）: 輸出電流（通道 2）: 安裝風(fēng)格:Rack 長度: 寬度: 高度: |
| IHD-3 | 制造商:VISHAY 制造商全稱:Vishay Siliconix 功能描述:Filter Inductors |
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