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參數(shù)資料
| 型號： | IHD 280 |
| 廠商： | SIEMENS AG |
| 英文描述： | IGBT And Power-MOSFET(IGBT和功率MOSFET) |
| 中文描述： | IGBT和功率場效應(yīng)晶體管（IGBT的和功率MOSFET的） |
| 文件頁數(shù)： | 12/24頁 |
| 文件大?。?/td> | 243K |
| 代理商： | IHD 280 |
IHD 215/280/680
Datenblatt
Seite 12
mit einer Zeitkonstante von etwa
5...10 Mikrosekunden nachzuschal-
ten.
Weiterhin
Statusr
ückmeldungen
hardwaremssig
zusammenzuschalten sondern diese
als
Einzelsignale
Ueberwachungselektronik
zuzuführen. Dies vereinfacht die Dia-
gnose
und
Strungssuche
Fehlerfalle ganz entscheidend.
wird
empfohlen,
die
nicht
der
im
Pin 9 und 10
GND und Vcc
Diese
Stromversorgung
Treibermoduls.
Speisespannung betrgt 12V bis 15V.
Um
ein
sicheres
integrierten
DC/DC-Wandlers
garantieren, mu in unmittelbarer
Nhe der Anschlüe 9 und 10 ein
schaltfester
und
Elko plaziert werden. Die Kapazitt
dieses Elko's sollte nicht kleiner sein
als
die
Summe
Anschlüssen Cs1 (Pin 34) und Cs2
Anschlüe
dienen
der
des
Die
nominale
Starten
des
zu
niederinduktiver
der
an
den
(Pin 23) angeschloenen Kapazitten.
Die Stromaufnahme wird durch die
Anzahl
der
Transistoren,
deren
und
durch
die
bestimmt.
angesteuerten
Gatekapazitt
Taktfrequenz
Aufgrund der hohen Isolation der
Speisungsanschlüe
allen
anderen
Pins
Treiber der IHD-Serie von einem
beliebigen Potential her versorgt
werden, welches nicht zwangslufig
mit den Eingangspotential identisch
sein mu.
gegenüber
knnen
die
Die
wurden so ausgelegt, da ein Betrieb
auch mit 12V erfolgen kann. Dies ist
vor
allem
beim
Transistoren sinnvoll, welche bei
hheren Gatespannungen sehr groe
Kurzschlustrme aufweisen (Low-
Saturation Typen).
internen
Einschaltschwellen
Betrieb
mit
Es ist zu beachten, dass die Treiber
selbst
nicht
Ueberlastung geschützt sind. Ein
Kurzschluss zwischen den Gate- und
Emitteranschlüssen - beispielsweise
durch einen defekten Leistungshalb-
leiter - kann zu einer thermischen
Zerstrung des Treibers führen.
gegen
eigene
Pin 36 {Pin 25}
Ausgang G1 {G2}
Der Ausgang G1 {G2} ist der Treiber-
ausgang für die Gate-Ansteuerung.
Diese
erfolgt
Speisespannung
+/-15V, beziehungsweise je nach
verwendeten
Leistungstransistoren
und Anwendung nur mit positiver
je
+/-12V
nach
bis
mit
Abb. 4 Ausgnge Status-Rückmeldung
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IHD 680 | IGBT And Power-MOSFET(IGBT和功率MOSFET) |
| IHP10T120 | Low Loss DuoPack : IGBT in Trench and Fieldstop technology with soft, fast recovery anti-parallel EmCon HE diode |
| IHW15N120R2 | Reverse Conducting IGBT with monolithic body diode |
| IHW15N120R | Reverse Conducting IGBT with monolithic body diode |
| IHW15T120 | IGBT in Trench and Fieldstop technology with soft,fast recovery anti-parallel EmCon HE diode |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| IHD28-4.0 | 功能描述:線性和開關(guān)式電源 +28V 4A PWR SPLY RoHS:否 制造商:TDK-Lambda 產(chǎn)品:Switching Supplies 開放式框架/封閉式:Enclosed 輸出功率額定值:800 W 輸入電壓:85 VAC to 265 VAC 輸出端數(shù)量:1 輸出電壓（通道 1）:20 V 輸出電流（通道 1）:40 A 商用/醫(yī)用: 輸出電壓（通道 2）: 輸出電流（通道 2）: 安裝風(fēng)格:Rack 長度: 寬度: 高度: |
| IHD-3 | 制造商:VISHAY 制造商全稱:Vishay Siliconix 功能描述:Filter Inductors |
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