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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | IHD 280 |
| 廠商： | SIEMENS AG |
| 英文描述： | IGBT And Power-MOSFET(IGBT和功率MOSFET) |
| 中文描述： | IGBT和功率場效應(yīng)晶體管（IGBT的和功率MOSFET的） |
| 文件頁數(shù)： | 17/24頁 |
| 文件大?。?/td> | 243K |
| 代理商： | IHD 280 |
IHD 215/280/680
Datenblatt
Seite 17
Um
"Hochlaufen" der Betriebsspannung
zu verhindern, mu parallel zu den
Abblockkondensatoren
Zenerdiode oder ein Transienten-
Suppressor verwendet werden. Diese
Dioden werden auf beiden Kanlen
bentigt, auch dann, wenn ein Kanal
nicht verwendet wird. Diese Dioden
sollten für eine Verlustleistung von
1,3W ausgelegt sein.
ein
sekundrseitiges
eine
16V-
Pin 35 {Pin 24}
Anschlu COM1 {COM2}
Dies ist der Maeanschlu des
sekundrseitigen
Abblockkondensators.
gleichzeitig auch als Bezugspotential
für
das
Mefilter
Kondensatoren Cb1 {Cb2}.
Er
dient
und
die
Anstelle von E1 {E2} kann auch der
Anschlu COM1 {COM2} mit der
Source
eines
verbunden werden. In diesem Fall
mu dann die Referenz ebenfalls auf
diesen Anschlu gelegt werden.
Diese
Schaltung
Ansteuerung von Power-MOSFET's
ohne negative Gate-Spannung. Dies
bedeutet, da der Transistor im
ausgeschalteten
Zustand
angesteuert wird (Unipolare Gate-
Ansteuerung, siehe Abb. 8).
Power-MOSFET's
ermglicht
die
mit
0V
Der Anschlu E1 {E2} bleibt bei
dieser Schaltung unbenützt und darf
unter keinen Umstnden mit COM1
{COM2}
zusammengeschaltet
werden.
Für IGBT's ist diese Methode der
Gate-Ansteuerung in der Regel nicht
sinnvoll,
da
insbesondere
bei
japanischen Chips und bei greren
Modulen
mit
spannung gearbeitet werden sollte.
negativer
Gate-
Anordnung auf dem
Leistungsteil
Die Treiber der IHD-Serie sollten
mglichst
nahe
Leistungstransistoren
werden. Die Verbindungsleitungen zu
den Transistoren sollten mglichst
kurz, das heit je nach Gatestrom
und Schaltgeschwindigkeit maximal
10cm
lang
sein.
dürfen die Eingangsleitungen etwa
25cm
lang
sein
Allerdings ist dabei, wie weiter vorne
beschrieben,
auf
Leiterführung zu achten.
an
angeordnet
den
Demgegenüber
(siehe
Abb. 9).
eine
saubere
Dme
Rme
IHDxxx
Cme
35COM1
Pin 33 (E1) bleibt offen
30ME1
32REF1
Dref
Rg
36G1
Abb. 8 Unipolare Gate-Ansteuerung
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IHD 680 | IGBT And Power-MOSFET(IGBT和功率MOSFET) |
| IHP10T120 | Low Loss DuoPack : IGBT in Trench and Fieldstop technology with soft, fast recovery anti-parallel EmCon HE diode |
| IHW15N120R2 | Reverse Conducting IGBT with monolithic body diode |
| IHW15N120R | Reverse Conducting IGBT with monolithic body diode |
| IHW15T120 | IGBT in Trench and Fieldstop technology with soft,fast recovery anti-parallel EmCon HE diode |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| IHD28-4.0 | 功能描述:線性和開關(guān)式電源 +28V 4A PWR SPLY RoHS:否 制造商:TDK-Lambda 產(chǎn)品:Switching Supplies 開放式框架/封閉式:Enclosed 輸出功率額定值:800 W 輸入電壓:85 VAC to 265 VAC 輸出端數(shù)量:1 輸出電壓（通道 1）:20 V 輸出電流（通道 1）:40 A 商用/醫(yī)用: 輸出電壓（通道 2）: 輸出電流（通道 2）: 安裝風(fēng)格:Rack 長度: 寬度: 高度: |
| IHD-3 | 制造商:VISHAY 制造商全稱:Vishay Siliconix 功能描述:Filter Inductors |
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