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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | IHD 280 |
| 廠商： | SIEMENS AG |
| 英文描述： | IGBT And Power-MOSFET(IGBT和功率MOSFET) |
| 中文描述： | IGBT和功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管（IGBT的和功率MOSFET的） |
| 文件頁數(shù)： | 14/24頁 |
| 文件大?。?/td> | 243K |
| 代理商： | IHD 280 |
IHD 215/280/680
Datenblatt
Seite 14
Werden die Verbindungen zwischen
einem Treiber der IHD-Reihe und
einem
Leistungstransistor
Verbindungslei
tungen ausgeführt, so
ist eine Lnge von maximal 10 cm
nicht zu überschreiten und
Leitungen G1, E1 und der Me-
anschlu
(Kollektor-
Anschlu)
sind
verdrillt zu führen (siehe Abb 9).
mittels
die
bzw
Drain-
pro
Transistor
Pin 30 {Pin 19}
Anschlu ME1 {ME2}
Dieser Anschlu dient der Messung
des
Spannungsabfalls
eingeschalteten Leistungstransistor,
um den Schutz gegen Kurzschlu
und Ueberlastung zu gewhrleisten.
Es ist zu beachten, da dieser
Anschlu keinesfalls direkt mit dem
Drain
bzw.
Leistungstransistors
werden darf. Um den Meanschlu
vor der hohen Drain- bzw Kollek-
torspannung
des
Leistungselements zu schützen, ist
eine
Beschaltung
hochsperrenden Diode (Dme) oder
am
Kollektor
des
verbunden
ausgeschalteten
mit
einer
zwei seriegeschalteten Dioden vom
Typ
1N4007
vorzusehen
Abbildungen 6 und 10). Es wird
unbedingt empfohlen, diese Dioden
spannungsmig
mensionieren.
(siehe
überzudi-
Ein im Modul integrierter Pull-Up
Widerstand
eingeschaltetem Leistungstransistor
dafür, da ein Strom durch die
Mediode
(Dme),
Dmpfungswiderstand
den Transistor fliet. Somit steht am
Meeingang ME1 ein Potential an,
welches der Durchlaspannung des
eingeschalteten Transistors zuzüglich
der Dioden-Durchlaspannung und
dem Spannungsabfall an Rme ent-
spricht.
Rme
Reversestromspitzen der Mediode
Dme und ist mit 68 Ohm einzusetzen.
sorgt
bei
den
und
(Rme)
dmpft
die
Es
Leistungstransistoren nicht unend-
lich
schnell
einschalten,
sondere bei IGBT's kann es einige
Mikrosekunden dauern, bis diese voll
durchgeschaltet haben. Zusammen
mit dem integrierten Pull-Up Wider-
stand
und
dem
densator (Cme) ergibt sich eine
Verzgerung der Messung nach dem
Einschalten des Leistungstransistors.
Diese Verzgerung wird im fol-
genden Ansprechzeit genannt. Die
Ansprechzeit (und somit Cme) mu
umso grer gewhlt werden, je
langsamer die Leistungstransistoren
einschalten. Die Formel für die
Dimensionierung von Cme ist auf
Seite 16 zu finden.
ist
zu
beachten,
da
die
insbe-
externen
Kon-
Abb. 6 Prinzip der Stromüberwachung
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IHD 680 | IGBT And Power-MOSFET(IGBT和功率MOSFET) |
| IHP10T120 | Low Loss DuoPack : IGBT in Trench and Fieldstop technology with soft, fast recovery anti-parallel EmCon HE diode |
| IHW15N120R2 | Reverse Conducting IGBT with monolithic body diode |
| IHW15N120R | Reverse Conducting IGBT with monolithic body diode |
| IHW15T120 | IGBT in Trench and Fieldstop technology with soft,fast recovery anti-parallel EmCon HE diode |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| IHD28-4.0 | 功能描述:線性和開關(guān)式電源 +28V 4A PWR SPLY RoHS:否 制造商:TDK-Lambda 產(chǎn)品:Switching Supplies 開放式框架/封閉式:Enclosed 輸出功率額定值:800 W 輸入電壓:85 VAC to 265 VAC 輸出端數(shù)量:1 輸出電壓（通道 1）:20 V 輸出電流（通道 1）:40 A 商用/醫(yī)用: 輸出電壓（通道 2）: 輸出電流（通道 2）: 安裝風(fēng)格:Rack 長度: 寬度: 高度: |
| IHD-3 | 制造商:VISHAY 制造商全稱:Vishay Siliconix 功能描述:Filter Inductors |
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