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參數(shù)資料
| 型號： | IHD 280 |
| 廠商： | SIEMENS AG |
| 英文描述： | IGBT And Power-MOSFET(IGBT和功率MOSFET) |
| 中文描述： | IGBT和功率場效應晶體管（IGBT的和功率MOSFET的） |
| 文件頁數(shù)： | 6/24頁 |
| 文件大?。?/td> | 243K |
| 代理商： | IHD 280 |
IHD 215/280/680
Datenblatt
Seite 6
Elektrische Kenndaten (Fortsetzung)
Zeitverhalten
Testbedingung
min
typ max
Einheit
Laufzeit Eingang-Ausgang
Einschalten
t
pd(on)
Ausschalten
t
pd(off)
60
60
20
ns
ns
m
s
Laufzeit Status-Rückmeldung auf Fehler
(siehe 16)
Ausgnge G1 und G2
Testbedingung
min
typ max
Einheit
Ausgangsstrom
I
out
(siehe 8)
IHD 215xx
IHD 280xx
IHD 680xx
alle Typen
IHD 215xx
IHD 280xx
IHD 680xx
alle Typen
alle Typen
-1,5
-8
-8
+1,5
+8
+8
Adc
Adc
Adc
mA
W
W
W
ns
ns
Ausgnge SO1/SO2
(siehe 14)
Totale Wandlerleistung
1
2
2
6
Anstiegszeit
t
r(out)
(siehe 9)
Fallzeit
t
f(out)
(siehe 9)
15
15
30
30
Galvanische Trennung
Testbedingung
min
typ max
Einheit
Betriebsspannung
(siehe 10)
Prüfspannung
Teilentladungs-Aussetzspannung
dauernd
(50Hz/1min)
(siehe 17)
600 1000
4000
1100
Vdc
Vaceff
IEC270
(siehe 15)
Veff
alle Typen
(siehe 11)
max.
V/
t bei
V = 1000V
50
100
kV/
μ
s
Alle Daten, wenn nichts anderes angegeben, bei +25°C und
Vcc
= 15V.
Funoten zu Kenndaten
1)
Bei einer Speisespannung von grer als 16V knnen die Leerlaufspannungen auf den
beiden Ausgangsseiten des DC/DC-Wandlers grer als 18V werden, was zur Zerstrung der
ausgangsseitigen Treiber- und Schutzschaltungen führen kann.
Nur Eigenverbrauch der Treiber, statisch.
Ein Ueberschreiten der Stromaufnahme deutet auf eine Ueberlastung des DC/DC-Wandlers
hin. Es ist der nchstgrere Typ vorzusehen.
Die Ausschaltschwelle liegt um den Betrag der Hysterese tiefer als die Einschaltschwelle. Die
Ein- und Ausschalt-Schwellen erlauben einen Betrieb der Treiber bei Betriebsspannungen
von 12V bis 15V und lassen sich nicht verndern.
Das Ansteuersignal sollte dieselbe Amplitude aufweisen wie die Stromversorgung des
IHDxxx. Bei Vcc = 15V sollte das Ansteuersignal ebenfalls 15V sein, bei Vcc = 12V genügt eine
Ansteuerung mit 12V. Abweichungen von +/-1V sind zulssig.
Scheitelwert whrend weniger als 100 ns, danach fliet ein Strom vom ca 10 mA, welcher
langsam abklingt.
2)
3)
4)
5)
6)
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IHD 680 | IGBT And Power-MOSFET(IGBT和功率MOSFET) |
| IHP10T120 | Low Loss DuoPack : IGBT in Trench and Fieldstop technology with soft, fast recovery anti-parallel EmCon HE diode |
| IHW15N120R2 | Reverse Conducting IGBT with monolithic body diode |
| IHW15N120R | Reverse Conducting IGBT with monolithic body diode |
| IHW15T120 | IGBT in Trench and Fieldstop technology with soft,fast recovery anti-parallel EmCon HE diode |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| IHD28-4.0 | 功能描述:線性和開關式電源 +28V 4A PWR SPLY RoHS:否 制造商:TDK-Lambda 產(chǎn)品:Switching Supplies 開放式框架/封閉式:Enclosed 輸出功率額定值:800 W 輸入電壓:85 VAC to 265 VAC 輸出端數(shù)量:1 輸出電壓（通道 1）:20 V 輸出電流（通道 1）:40 A 商用/醫(yī)用: 輸出電壓（通道 2）: 輸出電流（通道 2）: 安裝風格:Rack 長度: 寬度: 高度: |
| IHD-3 | 制造商:VISHAY 制造商全稱:Vishay Siliconix 功能描述:Filter Inductors |
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