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參數(shù)資料
| 型號： | HYB18L128160BF |
| 廠商： | QIMONDA |
| 英文描述： | DRAMs for Mobile Applications 128-Mbit Mobile-RAM |
| 中文描述： | 針對移動應(yīng)用的DRAM 128 - Mbit的移動RAM |
| 文件頁數(shù)： | 46/55頁 |
| 文件大?。?/td> | 1399K |
| 代理商： | HYB18L128160BF |
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Data Sheet
46
Rev. 1.71, 2007-01
05282004-NZNK-8T0D
HY[B/E]18L128160B[C/F]-7.5
128-Mbit Mobile-RAM
Electrical CharacteristicsAC Characteristics
3.2
AC Characteristics
Table 20
Parameter
Electrical Characteristics
1)
1) 0
°
C
≤
T
C
≤
70
°
C (comm.); -25
°
C
≤
T
C
≤
85
°
C (ext.); all voltages referenced to V
SS
. V
SS
and V
SSQ
must be at same
potential.
2) V
IH
may overshoot to V
DD
+ 0.8 V for pulse width < 4 ns; V
IL
may undershoot to -0.8 V for pulse width < 4 ns.
Pulse width measured at 50% with amplitude measured between peak voltage and DC reference level.
Symbol
Values
Unit
Notes
min.
max.
Power Supply Voltage
Power Supply Voltage for DQ Output Buffer
Input high voltage
Input low voltage
Output high voltage (I
OH
= -0.1 mA)
Output low voltage (I
OL
= 0.1 mA)
Input leakage current
Output leakage current
V
DD
V
DDQ
V
IH
V
IL
V
OH
V
OL
I
IL
I
OL
1.70
1.70
0.8
×
V
DDQ
-0.3
V
DDQ
- 0.2
–
-1.0
-1.5
1.95
1.95
V
DDQ
+ 0.3
0.3
—
0.2
1.0
1.5
V
V
V
V
V
V
μΑ
μ
A
—
—
2)
—
—
—
—
Table 21
Parameter
AC Characteristics
1)2)3)4)
Symbol
- 7.5
Unit
Notes
min.
7.5
9.5
—
—
—
—
2.5
2.5
1.5
0.5
0.8
2
1.0
3.0
2.5
—
0
67
19
15
45
max.
—
—
133
105
5.4
6.0
—
—
—
—
—
—
—
7.0
—
2
—
—
—
—
100k
Clock cycle time
CL = 3
CL = 2
CL = 3
CL = 2
CL = 3
CL = 2
t
CK
ns
ns
MHz
MHz
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
t
CK
ns
ns
ns
t
CK
t
CK
ns
ns
ns
ns
—
Clock frequency
f
CK
—
Access time from CLK
t
AC
5)6)
Clock high-level width
Clock low-level width
Address, data and command input setup time
Address and command input hold time
Data (DQ) input hold time
MODE REGISTER SET command period
DQ low-impedance time from CLK
DQ high-impedance time from CLK
Data out hold time
DQM to DQ High-Z delay (READ Commands)
DQM write mask latency
ACTIVE to ACTIVE command period
ACTIVE to READ or WRITE delay
ACTIVE bank A to ACTIVE bank B delay
ACTIVE to PRECHARGE command period
t
CH
t
CL
t
IS
t
IH
—
—
7)
t
MRD
t
LZ
t
HZ
t
OH
t
DQZ
t
DQW
t
RC
t
RCD
t
RRD
t
RAS
—
—
—
—
—
8)
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HYB18L256160B | DRAMs for Mobile Applications 256-Mbit Mobile-RAM |
| HYMP112S64LMP8-C4 | DDR2 SDRAM SO-DIMM |
| HYMP112S64LMP8-C5 | DDR2 SDRAM SO-DIMM |
| HYMP112S64LMP8-E3 | BNC FEMALE TO RCA MALE COUPLER |
| HYMP112S64LMP8-E4 | DDR2 SDRAM SO-DIMM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| HYB18L128160BF-7.5 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:BJAWBMSpecialty DRAMs Mobile-RAM |
| HYB18L128160BF-75 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:DRAMs for Mobile Applications |
| HYB18L256160B | 制造商:QIMONDA 制造商全稱:QIMONDA 功能描述:DRAMs for Mobile Applications 256-Mbit Mobile-RAM |
| HYB18L256160BC-7.5 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:BJAWBMSpecialty DRAMs Mobile-RAM |
| HYB18L256160BC-75 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:DRAMs for Mobile Applications |
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