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參數(shù)資料
| 型號： | HY27UF081G2M-TMB |
| 廠商： | Hynix Semiconductor Inc. |
| 英文描述： | Inductor; Inductor Type:Power; Inductance:2uH; Inductance Tolerance: 25 %; Series:CTX; Package/Case:PCB Surface Mount; Core Material:Amorphous Metal; Current, lt rms Parallel:7.26A; Current, lt rms Series:3.63A RoHS Compliant: Yes |
| 中文描述： | 1Gbit的（128Mx8bit / 64Mx16bit）NAND閃存 |
| 文件頁數(shù)： | 7/48頁 |
| 文件大?。?/td> | 476K |
| 代理商： | HY27UF081G2M-TMB |
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Rev 0.7 / Apr. 2005
7
Preliminary
HY27UF(08/ 16)1G2M Series
HY27SF(08/ 16)1G2M Series
1Gbit (128Mx8bit / 64Mx16bit) NAND Flash
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Figure 4. 63FBGA Contactions, x8 Device (Top view through package)
Figure 5. 63FBGA Contactions, x16 Device (Top view through package)
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HY27UF081G2M-TMP | 1Gbit (128Mx8bit / 64Mx16bit) NAND Flash Memory |
| HY27UF081G2M-TMS | 1Gbit (128Mx8bit / 64Mx16bit) NAND Flash Memory |
| HY27UF081G2M-TPCB | 1Gbit (128Mx8bit / 64Mx16bit) NAND Flash Memory |
| HY27UF081G2M-VPIB | 1Gbit (128Mx8bit / 64Mx16bit) NAND Flash Memory |
| HY27LF081G2M-VPIB | 1Gbit (128Mx8bit / 64Mx16bit) NAND Flash Memory |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| HY27UF081G2M-TMP | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:1Gbit (128Mx8bit / 64Mx16bit) NAND Flash Memory |
| HY27UF081G2M-TMS | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:1Gbit (128Mx8bit / 64Mx16bit) NAND Flash Memory |
| HY27UF081G2M-TPCB | 制造商:SK Hynix Inc 功能描述:IC FLASH NAND 1GB SMD TSOP48 制造商:SK Hynix Inc 功能描述:NAND Flash, 128M x 8, 48 Pin, Plastic, TSSOP |
| HY27UF081G2M-TPCP | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:1Gbit (128Mx8bit / 64Mx16bit) NAND Flash Memory |
| HY27UF081G2M-TPCS | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:1Gbit (128Mx8bit / 64Mx16bit) NAND Flash Memory |
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