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參數(shù)資料
| 型號： | HY27UF081G2M-TMB |
| 廠商： | Hynix Semiconductor Inc. |
| 英文描述： | Inductor; Inductor Type:Power; Inductance:2uH; Inductance Tolerance: 25 %; Series:CTX; Package/Case:PCB Surface Mount; Core Material:Amorphous Metal; Current, lt rms Parallel:7.26A; Current, lt rms Series:3.63A RoHS Compliant: Yes |
| 中文描述： | 1Gbit的（128Mx8bit / 64Mx16bit）NAND閃存 |
| 文件頁數(shù)： | 44/48頁 |
| 文件大?。?/td> | 476K |
| 代理商： | HY27UF081G2M-TMB |
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Rev 0.7 / Apr. 2005
44
Preliminary
HY27UF(08/ 16)1G2M Series
HY27SF(08/ 16)1G2M Series
1Gbit (128Mx8bit / 64Mx16bit) NAND Flash
Symbol
Millimeters
Typ
0.90
0.30
0.60
0.45
9.50
4.00
7.20
12.00
5.60
8.80
0.80
2.75
1.15
3.20
1.60
0.40
0.40
Min
0.80
0.25
0.55
0.40
9.40
Max
1.00
0.35
0.65
0.50
9.60
A
A1
A2
b
D
D1
D2
E
E1
E2
e
FD
FD1
FE
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SD
SE
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Figure 33. 63-ball FBGA - 9.5 x 12, 6 x 8 ball array 0.8mm pitch, Pakage Outline
NOTE
: Drawing is not to scale.
Table 21: 63-ball FBGA - 9.5 x 12, 6 x 8 ball array 0.8mm pitch, Pakage Mechanical Data
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HY27UF081G2M-TMP | 1Gbit (128Mx8bit / 64Mx16bit) NAND Flash Memory |
| HY27UF081G2M-TMS | 1Gbit (128Mx8bit / 64Mx16bit) NAND Flash Memory |
| HY27UF081G2M-TPCB | 1Gbit (128Mx8bit / 64Mx16bit) NAND Flash Memory |
| HY27UF081G2M-VPIB | 1Gbit (128Mx8bit / 64Mx16bit) NAND Flash Memory |
| HY27LF081G2M-VPIB | 1Gbit (128Mx8bit / 64Mx16bit) NAND Flash Memory |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| HY27UF081G2M-TMP | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:1Gbit (128Mx8bit / 64Mx16bit) NAND Flash Memory |
| HY27UF081G2M-TMS | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:1Gbit (128Mx8bit / 64Mx16bit) NAND Flash Memory |
| HY27UF081G2M-TPCB | 制造商:SK Hynix Inc 功能描述:IC FLASH NAND 1GB SMD TSOP48 制造商:SK Hynix Inc 功能描述:NAND Flash, 128M x 8, 48 Pin, Plastic, TSSOP |
| HY27UF081G2M-TPCP | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:1Gbit (128Mx8bit / 64Mx16bit) NAND Flash Memory |
| HY27UF081G2M-TPCS | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:1Gbit (128Mx8bit / 64Mx16bit) NAND Flash Memory |
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