參數資料
型號： HY27UF081G2M-TMB
廠商： Hynix Semiconductor Inc.
英文描述： Inductor; Inductor Type:Power; Inductance:2uH; Inductance Tolerance: 25 %; Series:CTX; Package/Case:PCB Surface Mount; Core Material:Amorphous Metal; Current, lt rms Parallel:7.26A; Current, lt rms Series:3.63A RoHS Compliant: Yes
中文描述： 1Gbit的（128Mx8bit / 64Mx16bit）NAND閃存
文件頁數： 42/48頁
文件大小： 476K
代理商： HY27UF081G2M-TMB
Rev 0.7 / Apr. 2005
42
Preliminary
HY27UF(08/ 16)1G2M Series
HY27SF(08/ 16)1G2M Series
1Gbit (128Mx8bit / 64Mx16bit) NAND Flash
Table 19: 48-TSOP1, 12 x 20mm, Package Mechanical Data
Symbol
millimeters
Min
Typ
Max
A
1.200
A1
0.050
0.150
A2
0.980
1.030
B
0.170
0.250
C
0.100
0.200
CP
0.050
D
11.910
12.000
12.120
E
19.900
20.000
20.100
E1
18.300
18.400
18.500
e
0.500
L
0.500
0.680
alpha
0
5
Figure 31. 48-pin TSOP1, 12 x 20mm, Package Outline
'
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$
H
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(
(
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$
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PDF描述
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HY27LF081G2M-VPIB 1Gbit (128Mx8bit / 64Mx16bit) NAND Flash Memory
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