參數(shù)資料
型號： HY27UF081G2M-TMB
廠商： Hynix Semiconductor Inc.
英文描述： Inductor; Inductor Type:Power; Inductance:2uH; Inductance Tolerance: 25 %; Series:CTX; Package/Case:PCB Surface Mount; Core Material:Amorphous Metal; Current, lt rms Parallel:7.26A; Current, lt rms Series:3.63A RoHS Compliant: Yes
中文描述： 1Gbit的（128Mx8bit / 64Mx16bit）NAND閃存
文件頁數(shù)： 25/48頁
文件大?。?/td> 476K
代理商： HY27UF081G2M-TMB
Rev 0.7 / Apr. 2005
25
Preliminary
HY27UF(08/ 16)1G2M Series
HY27SF(08/ 16)1G2M Series
1Gbit (128Mx8bit / 64Mx16bit) NAND Flash
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Figure 10: Sequential Out Cycle after Read (CLE= L, WE#= H, ALE= L)
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Figure 9. Input Data Latch Cycle
相關PDF資料
PDF描述
HY27UF081G2M-TMP 1Gbit (128Mx8bit / 64Mx16bit) NAND Flash Memory
HY27UF081G2M-TMS 1Gbit (128Mx8bit / 64Mx16bit) NAND Flash Memory
HY27UF081G2M-TPCB 1Gbit (128Mx8bit / 64Mx16bit) NAND Flash Memory
HY27UF081G2M-VPIB 1Gbit (128Mx8bit / 64Mx16bit) NAND Flash Memory
HY27LF081G2M-VPIB 1Gbit (128Mx8bit / 64Mx16bit) NAND Flash Memory
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參數(shù)描述
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