參數(shù)資料
型號： HY27UF081G2M-TMB
廠商： Hynix Semiconductor Inc.
英文描述： Inductor; Inductor Type:Power; Inductance:2uH; Inductance Tolerance: 25 %; Series:CTX; Package/Case:PCB Surface Mount; Core Material:Amorphous Metal; Current, lt rms Parallel:7.26A; Current, lt rms Series:3.63A RoHS Compliant: Yes
中文描述： 1Gbit的（128Mx8bit / 64Mx16bit）NAND閃存
文件頁數(shù)： 5/48頁
文件大?。?/td> 476K
代理商： HY27UF081G2M-TMB
Rev 0.7 / Apr. 2005
5
Preliminary
HY27UF(08/ 16)1G2M Series
HY27SF(08/ 16)1G2M Series
1Gbit (128Mx8bit / 64Mx16bit) NAND Flash
Figure1: Logic Diagram
9&&
966
35(
:3
&/(
$/(
5(
:(
&(
,2a,2
,2a,2[2QO\
5%
IO15 - IO8
Data Input / Outputs (x16 only)
IO7 - IO0
Data Input / Outputs
CLE
Command latch enable
ALE
Address latch enable
CE#
Chip Enable
RE#
Read Enable
WE#
Write Enable
WP#
Write Protect
RB#
Ready / Busy
Vcc
Power Supply
Vss
Ground
NC
No Connection
PRE
Power-On Read Enable
Table 1: Signal Names
相關(guān)PDF資料
PDF描述
HY27UF081G2M-TMP 1Gbit (128Mx8bit / 64Mx16bit) NAND Flash Memory
HY27UF081G2M-TMS 1Gbit (128Mx8bit / 64Mx16bit) NAND Flash Memory
HY27UF081G2M-TPCB 1Gbit (128Mx8bit / 64Mx16bit) NAND Flash Memory
HY27UF081G2M-VPIB 1Gbit (128Mx8bit / 64Mx16bit) NAND Flash Memory
HY27LF081G2M-VPIB 1Gbit (128Mx8bit / 64Mx16bit) NAND Flash Memory
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
HY27UF081G2M-TMP 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:1Gbit (128Mx8bit / 64Mx16bit) NAND Flash Memory
HY27UF081G2M-TMS 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:1Gbit (128Mx8bit / 64Mx16bit) NAND Flash Memory
HY27UF081G2M-TPCB 制造商:SK Hynix Inc 功能描述:IC FLASH NAND 1GB SMD TSOP48 制造商:SK Hynix Inc 功能描述:NAND Flash, 128M x 8, 48 Pin, Plastic, TSSOP
HY27UF081G2M-TPCP 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:1Gbit (128Mx8bit / 64Mx16bit) NAND Flash Memory
HY27UF081G2M-TPCS 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:1Gbit (128Mx8bit / 64Mx16bit) NAND Flash Memory
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

*型號 *數(shù)量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*