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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | HN29WT800T-8 |
| 英文描述： | x8/x16 Flash EEPROM |
| 中文描述： | x8/x16閃存EEPROM |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 33/43頁(yè) |
| 文件大小： | 321K |
| 代理商： | HN29WT800T-8 |
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HN29W12811BP Series
33
Data Recovery Read Timing Waveform
CE
OE
WE
CDE
RES
t
CES
t
CPH
t
COH
t
CEH
t
WP
t
WP
t
CDH
t
WSDR
t
SCC
t
SP
t
SAC
t
SAC
t
SCC
t
SOH
SC
I/O0 to I/O7
t
SCS
t
OEL
t
OES
t
CDS
t
DS
t
DH
High-Z
High
RDY
/
Busy
01H
FFH
D0out
D1out
D2111out
Notes: 1. The status returns to the standby at the rising edge of
CE
.
2. Output data is not valid after the number of the SC pulse exceed 2112 in the recovery data read mode.
3. After any commands are written, the status can turns to the standby after the command FFH is input
and
CE
turns to the V
IH
level.
t
OEWS
t
OER
t
CWHR
t
SH
t
SH
t
SAC
t
SAC
t
CDS
t
CDOS
*
3
*
1
*
2
*
2
t
DS
t
CDH
t
DH
t
SPL
t
DF
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HN2A01FUGR | TRANSISTOR | BJT | PAIR | PNP | 50V V(BR)CEO | 150MA I(C) | TSOP |
| HN2A01FUY | TRANSISTOR | BJT | PAIR | PNP | 50V V(BR)CEO | 150MA I(C) | TSOP |
| HN2A01FU | PNP EPITAXIAL TYPE (AUDIO FREQUENCY GENERAL PURPOSE AMPLIFIER APPLICATIONS) |
| HN2A26FS | Frequency General-Purpose Amplifier Applications |
| HN2C01FUGR | TRANSISTOR | BJT | PAIR | NPN | 50V V(BR)CEO | 150MA I(C) | TSOP |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| HN2A01FE | 制造商:TOSHIBA 制造商全稱:Toshiba Semiconductor 功能描述:Audio Frequency General Purpose Amplifier Applications |
| HN2A01FE-GR(TE85LF | 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述:TRAN DUAL PNP -50V -0.15A ES6 |
| HN2A01FE-Y(TE85L,F | 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述:TRAN DUAL PNP -50V -0.15A ES6 |
| HN2A01FU | 制造商:TOSHIBA 制造商全稱:Toshiba Semiconductor 功能描述:PNP EPITAXIAL TYPE (AUDIO FREQUENCY GENERAL PURPOSE AMPLIFIER APPLICATIONS) |
| HN2A01FU_07 | 制造商:TOSHIBA 制造商全稱:Toshiba Semiconductor 功能描述:Audio Frequency General Purpose Amplifier Applications |
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