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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | HN29WT800T-8 |
| 英文描述： | x8/x16 Flash EEPROM |
| 中文描述： | x8/x16閃存EEPROM |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 20/43頁(yè) |
| 文件大小： | 321K |
| 代理商： | HN29WT800T-8 |
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HN29W12811BP Series
20
HN29W12811
-60
Parameter
RES
high to device ready
CE
pulse high time
CE
,
WE
setup time for RES
RES
to
CE
,
WE
hold time
SC setup for
WE
CE
hold time for
OE
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
Test conditions
Notes
t
BSY
t
CPH
t
CWRS
t
CWRH
t
SW
t
COH
t
SCD
t
RS
—
—
1
ms
200
—
—
ns
0
—
—
ns
0
—
—
ns
50
—
—
ns
0
—
—
ns
SA (2) to CA (2) delay time
RDY/
Busy
setup for SC
—
—
30
μ
s
200
—
—
ns
Time to device busy on read mode t
DBR
Busy time on reset mode
Notes: 1. t
DF
is a time after which the I/O pins become open.
2. t
(min) is specified as a reference point only for SC, if t
WSD
is greater than the specified t
WSD
(min)
limit, then access time is controlled exclusively by t
SAC
.
—
—
1
μ
s
μ
s
t
RBSY
—
45
—
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HN2A01FUGR | TRANSISTOR | BJT | PAIR | PNP | 50V V(BR)CEO | 150MA I(C) | TSOP |
| HN2A01FUY | TRANSISTOR | BJT | PAIR | PNP | 50V V(BR)CEO | 150MA I(C) | TSOP |
| HN2A01FU | PNP EPITAXIAL TYPE (AUDIO FREQUENCY GENERAL PURPOSE AMPLIFIER APPLICATIONS) |
| HN2A26FS | Frequency General-Purpose Amplifier Applications |
| HN2C01FUGR | TRANSISTOR | BJT | PAIR | NPN | 50V V(BR)CEO | 150MA I(C) | TSOP |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| HN2A01FE | 制造商:TOSHIBA 制造商全稱:Toshiba Semiconductor 功能描述:Audio Frequency General Purpose Amplifier Applications |
| HN2A01FE-GR(TE85LF | 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述:TRAN DUAL PNP -50V -0.15A ES6 |
| HN2A01FE-Y(TE85L,F | 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述:TRAN DUAL PNP -50V -0.15A ES6 |
| HN2A01FU | 制造商:TOSHIBA 制造商全稱:Toshiba Semiconductor 功能描述:PNP EPITAXIAL TYPE (AUDIO FREQUENCY GENERAL PURPOSE AMPLIFIER APPLICATIONS) |
| HN2A01FU_07 | 制造商:TOSHIBA 制造商全稱:Toshiba Semiconductor 功能描述:Audio Frequency General Purpose Amplifier Applications |
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