參數(shù)資料
型號(hào)： GS8180S09
廠商： GSI TECHNOLOGY
英文描述： 2Mb x 9Bit Separate I/O Sigma DDR SRAM(2M x 9位獨(dú)立I/O接口雙數(shù)據(jù)速率讀和寫(xiě)模式靜態(tài)ΣRAM)
中文描述： 2MB的x 9Bit分離I / O西格瑪?shù)腄DR SRAM的（2米× 9位獨(dú)立的I / O接口雙數(shù)據(jù)速率讀和寫(xiě)模式靜態(tài)ΣRAM）
文件頁(yè)數(shù)： 30/32頁(yè)
文件大小： 853K
代理商： GS8180S09
Rev: 1.01 11/2000
Specifications cited are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.gsitechnology.com.
30/32
2000, Giga Semiconductor, Inc.
A
Advanced Information
GS8180S09/18/36B-333/300/275/250
Package Dimensions—209-Bump BGA
14 mm x 22 mm Body, 1.0 mm Bump Pitch, 11 x 19 Bump Array
Symbol
Min.
Typ.
Max.
Units
A
—
—
1.7
mm
A1
0.40
0.50
0.60
mm
A2
0.31
0.36
0.38
mm
b
0.50
0.60
0.70
mm
D
21.9
22.0
22.1
mm
D1
—
18.0 (BSC)
—
mm
E
13.9
14.0
14.1
mm
E1
—
10.0 (BSC)
—
mm
e
—
1.00 (BSC)
—
mm
ddd
—
0.15
—
mm
Rev 1.2
A
A1
A2
b
e
e
E
E
D1
D
ddd
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PDF描述
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