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參數(shù)資料
| 型號： | GS8180S09 |
| 廠商： | GSI TECHNOLOGY |
| 英文描述： | 2Mb x 9Bit Separate I/O Sigma DDR SRAM(2M x 9位獨立I/O接口雙數(shù)據速率讀和寫模式靜態(tài)ΣRAM) |
| 中文描述： | 2MB的x 9Bit分離I / O西格瑪?shù)腄DR SRAM的（2米× 9位獨立的I / O接口雙數(shù)據速率讀和寫模式靜態(tài)ΣRAM） |
| 文件頁數(shù)： | 28/32頁 |
| 文件大?。?/td> | 853K |
| 代理商： | GS8180S09 |
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Rev: 1.01 11/2000
Specifications cited are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.gsitechnology.com.
28/32
2000, Giga Semiconductor, Inc.
A
Advanced Information
GS8180S09/18/36B-333/300/275/250
JTAG Port Timing Diagram
JTAG Port AC Electrical Characteristics
Parameter
Symbol
Min
Max
Unit
TCK Cycle Time
tTKC
20
—
ns
TCK Low to TDO Valid
tTKQ
—
10
ns
TCK High Pulse Width
tTKH
10
—
ns
TCK Low Pulse Width
tTKL
10
—
ns
TDI & TMS Set Up Time
tTS
5
—
ns
TDI & TMS Hold Time
tTH
5
—
ns
tTKQ
tTS
tTH
tTKH
tTKL
TCK
TMS
TDI
TDO
tTKC
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