EPC2007C

配單專(zhuān)家企業(yè)名單

型號(hào)
供應(yīng)商
數(shù)量
廠商
封裝
批號(hào)
價(jià)格
說(shuō)明
操作

EPC2007C
北京耐芯威科技有限公司
北京耐芯威科技有限公司
聯(lián)系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀區(qū)中關(guān)村大街32號(hào)和盛嘉業(yè)大廈10層1009室
資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照
0
原廠封裝
10000
16+/17+
-
百分百原裝正品假一賠十電話010-62...

EPC2007C
深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
聯(lián)系人：雷春艷
電話：19129493934（手機(jī)優(yōu)先微信同號(hào)）0755-83266697
地址：深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北街道華強(qiáng)北路1016號(hào)寶華大廈A座2028室
資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照
37500
EPC
帶卷（TR）
1521+
-
全新原裝現(xiàn)貨

EPC2007C
深圳市瑞智芯科技有限公司
深圳市瑞智芯科技有限公司
聯(lián)系人：李先生
電話：0755-8308997518573537851
地址：深圳市福田區(qū)中航路42號(hào)中航北苑大廈C座6C3
資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照
138861
EPC
LGA
20
-
瑞智芯只有原裝

1/1頁(yè) 40條/頁(yè) 共40條
1

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功能描述
TRANS GAN 100V 6A BUMPED DIE
制造商
epc
系列
eGaN?
包裝
剪切帶（CT）
零件狀態(tài)
有效
FET 類(lèi)型
GaNFET N 通道，氮化鎵
FET 功能
標(biāo)準(zhǔn)
漏源極電壓（Vdss）
100V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）
6A（Ta）
不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）
30 毫歐 @ 6A，5V
不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）
2.5V @ 1.2mA
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）
2.2nC @ 5V
不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）
220pF @ 50V
功率 - 最大值
-
工作溫度
-40°C ~ 150°C（TJ）
安裝類(lèi)型
表面貼裝
封裝/外殼
模具
供應(yīng)商器件封裝
模具剖面（5 焊條）
標(biāo)準(zhǔn)包裝
1

EPC2007C 技術(shù)參數(shù)

EPC2007 功能描述:TRANS GAN 100V 6A BUMPED DIE 制造商:epc 系列:eGaN? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):停產(chǎn) FET 類(lèi)型:GaNFET N 通道，氮化鎵 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:100V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:6A（Ta）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:30 毫歐 @ 6A，5V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 1.2mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:2.8nC @ 5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:205pF @ 50V 功率 - 最大值:- 工作溫度:-40°C ~ 125°C （TJ）安裝類(lèi)型:表面貼裝封裝/外殼:模具供應(yīng)商器件封裝:模具剖面（5 焊條）標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 EPC2001C 功能描述:TRANS GAN 100V 36A BUMPED DIE 制造商:epc 系列:eGaN? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效 FET 類(lèi)型:GaNFET N 通道，氮化鎵 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:100V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:36A（Ta）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:7 毫歐 @ 25A，5V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 5mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:9nC @ 5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:900pF @ 50V 功率 - 最大值:- 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ）安裝類(lèi)型:表面貼裝封裝/外殼:模具供應(yīng)商器件封裝:模具剖面（11 焊條）標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 EPC2001 功能描述:TRANS GAN 100V 25A BUMPED DIE 制造商:epc 系列:eGaN? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效 FET 類(lèi)型:GaNFET N 通道，氮化鎵 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:100V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:25A（Ta）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:7 毫歐 @ 25A，5V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 5mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:10nC @ 5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:950pF @ 50V 功率 - 最大值:- 工作溫度:-40°C ~ 125°C （TJ）安裝類(lèi)型:表面貼裝封裝/外殼:模具供應(yīng)商器件封裝:模具剖面（11 焊條）標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 EPC1PI8N 功能描述:FPGA-配置存儲(chǔ)器 IC - Ser. Config Mem Flash 1Mb 8 MHz RoHS:否制造商:Altera Corporation 存儲(chǔ)類(lèi)型:Flash 存儲(chǔ)容量:1.6 Mbit 工作頻率:10 MHz 電源電壓-最大:5.25 V 電源電壓-最小:3 V 電源電流:50 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PLCC-20 EPC1PI8 功能描述:FPGA-配置存儲(chǔ)器 IC - Ser. Config Mem Flash 1Mb 8 MHz RoHS:否制造商:Altera Corporation 存儲(chǔ)類(lèi)型:Flash 存儲(chǔ)容量:1.6 Mbit 工作頻率:10 MHz 電源電壓-最大:5.25 V 電源電壓-最小:3 V 電源電流:50 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PLCC-20 EPC2015C EPC2015CENGR EPC2016 EPC2016C EPC2018 EPC2019 EPC2019ENG EPC2020 EPC2020ENG EPC2020ENGR EPC2021 EPC2021ENG EPC2021ENGR EPC2022 EPC2022ENGRT EPC2023 EPC2023ENG EPC2023ENGR