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EPC2022

配單專家企業(yè)名單
  • 型號
  • 供應(yīng)商
  • 數(shù)量
  • 廠商
  • 封裝
  • 批號
  • 價格
  • 說明
  • 操作
  • EPC2022
    EPC2022

    EPC2022

  • 北京耐芯威科技有限公司
    北京耐芯威科技有限公司

    聯(lián)系人:劉先生

    電話:010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址:北京市海淀區(qū)中關(guān)村大街32號和盛嘉業(yè)大廈10層1009室

    資質(zhì):營業(yè)執(zhí)照

  • 0

  • 原廠封裝

  • 10000

  • 16+/17+

  • -
  • 百分百原裝正品假一賠十 電話010-62...

  • EPC2022
    EPC2022

    EPC2022

  • 深圳市瑞智芯科技有限公司
    深圳市瑞智芯科技有限公司

    聯(lián)系人:朱先生

    電話:0755-82999903

    地址:深圳市福田區(qū)中航路42號中航北苑大廈C座6C3

  • 1363

  • EPC

  • LGA

  • 21+

  • -
  • 瑞智芯只做原裝

  • 1/1頁 40條/頁 共7條 
  • 1
EPC2022 PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實際PDF為準(zhǔn)
  • 功能描述
  • TRANS GAN 100V 3MOHM BUMPED DIE
  • 制造商
  • epc
  • 系列
  • eGaN?
  • 包裝
  • 剪切帶(CT)
  • 零件狀態(tài)
  • 有效
  • FET 類型
  • GaNFET N 通道,氮化鎵
  • FET 功能
  • 標(biāo)準(zhǔn)
  • 漏源極電壓(Vdss)
  • 100V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時)
  • 60A(Ta)
  • 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值)
  • 3.2 毫歐 @ 25A,5V
  • 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值)
  • 2.5V @ 12mA
  • 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg)
  • -
  • 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)
  • 1500pF @ 50V
  • 功率 - 最大值
  • -
  • 工作溫度
  • *
  • 安裝類型
  • 表面貼裝
  • 封裝/外殼
  • 模具
  • 供應(yīng)商器件封裝
  • 模具
  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝
  • 1
EPC2022 技術(shù)參數(shù)
  • EPC2021ENGR 功能描述:TRANS GAN 80V 60A BUMPED DIE 制造商:epc 系列:eGaN? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):停產(chǎn) FET 類型:GaNFET N 通道,氮化鎵 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):80V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):60A(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):2.5 毫歐 @ 29A,5V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 14mA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):15nC @ 5V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):1700pF @ 40V 功率 - 最大值:- 工作溫度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:模具 供應(yīng)商器件封裝:模具 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 EPC2021ENG 功能描述:TRANS GAN 80V 60A BUMPED DIE 制造商:epc 系列:eGaN? 包裝:托盤 零件狀態(tài):有效 FET 類型:GaNFET N 通道,氮化鎵 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):80V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):60A(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):2.5 毫歐 @ 29A,5V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 14mA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):15nC @ 5V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):1700pF @ 40V 功率 - 最大值:- 工作溫度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:模具 供應(yīng)商器件封裝:模具 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 EPC2021 功能描述:TRANS GAN 80V 90A BUMPED DIE 制造商:epc 系列:eGaN? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 FET 類型:GaNFET N 通道,氮化鎵 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):80V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):90A(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):2.5 毫歐 @ 29A,5V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 14mA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):15nC @ 5V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):1650pF @ 40V 功率 - 最大值:- 工作溫度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:模具 供應(yīng)商器件封裝:模具 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 EPC2020ENGR 功能描述:TRANS GAN 60V 60A BUMPED DIE 制造商:epc 系列:eGaN? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):無貨 FET 類型:GaNFET N 通道,氮化鎵 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):60V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):60A(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):2.2 毫歐 @ 31A,5V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 16mA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):16nC @ 5V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):1800pF @ 30V 功率 - 最大值:- 工作溫度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:模具 供應(yīng)商器件封裝:模具 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 EPC2020ENG 功能描述:TRANS GAN 60V 60A BUMPED DIE 制造商:epc 系列:eGaN? 包裝:托盤 零件狀態(tài):無貨 FET 類型:GaNFET N 通道,氮化鎵 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):60V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):60A(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):2.2 毫歐 @ 31A,5V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 16mA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):16nC @ 5V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):1800pF @ 30V 功率 - 最大值:- 工作溫度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:模具 供應(yīng)商器件封裝:模具 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 EPC2029 EPC2029ENGR EPC2029ENGRT EPC2030 EPC2030ENGR EPC2030ENGRT EPC2031 EPC2031ENGR EPC2031ENGRT EPC2032 EPC2032ENGR EPC2032ENGRT EPC2033 EPC2033ENGR EPC2033ENGRT EPC2034 EPC2034ENGR EPC2034ENGRT
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