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EPC2021

配單專家企業(yè)名單
  • 型號
  • 供應商
  • 數(shù)量
  • 廠商
  • 封裝
  • 批號
  • 價格
  • 說明
  • 操作
  • EPC2021
    EPC2021

    EPC2021

  • 北京耐芯威科技有限公司
    北京耐芯威科技有限公司

    聯(lián)系人：劉先生

    電話：010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址：北京市海淀區(qū)中關(guān)村大街32號和盛嘉業(yè)大廈10層1009室

    資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照

  • 0

  • 原廠封裝

  • 10000

  • 16+/17+

  • -

  • 百分百原裝正品假一賠十 電話010-62...

  • EPC2021ENG
    EPC2021ENG

    EPC2021ENG

  • 深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
    深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司

    聯(lián)系人：雷春艷

    電話：19129493934（手機優(yōu)先微信同號）0755-83266697

    地址：深圳市福田區(qū)華強北街道華強北路1016號寶華大廈A座2028室

    資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照

  • 12650

  • EPC

  • 托盤

  • 1521+

  • -

  • 全新原裝現(xiàn)貨

  • EPC2021
    EPC2021

    EPC2021

  • 深圳市瑞智芯科技有限公司
    深圳市瑞智芯科技有限公司

    聯(lián)系人：朱先生

    電話：0755-82999903

    地址：深圳市福田區(qū)中航路42號中航北苑大廈C座6C3

  • 845

  • EPC

  • LGA

  • 20+

  • -

  • 瑞智芯只做原裝

  • 1/1頁 40條/頁 共8條 
  • 1
EPC2021 PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準
  • 功能描述
  • TRANS GAN 80V 90A BUMPED DIE
  • 制造商
  • epc
  • 系列
  • eGaN?
  • 包裝
  • 剪切帶（CT）
  • 零件狀態(tài)
  • 有效
  • FET 類型
  • GaNFET N 通道，氮化鎵
  • FET 功能
  • 標準
  • 漏源極電壓（Vdss）
  • 80V
  • 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）
  • 90A（Ta）
  • 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）
  • 2.5 毫歐 @ 29A，5V
  • 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）
  • 2.5V @ 14mA
  • 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）
  • 15nC @ 5V
  • 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）
  • 1650pF @ 40V
  • 功率 - 最大值
  • -
  • 工作溫度
  • -40°C ~ 150°C（TJ）
  • 安裝類型
  • 表面貼裝
  • 封裝/外殼
  • 模具
  • 供應商器件封裝
  • 模具
  • 標準包裝
  • 1
EPC2021 技術(shù)參數(shù)
  • EPC2020ENGR 功能描述:TRANS GAN 60V 60A BUMPED DIE 制造商:epc 系列:eGaN? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):無貨 FET 類型:GaNFET N 通道，氮化鎵 FET 功能:標準 漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:60A（Ta） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:2.2 毫歐 @ 31A，5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 16mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:16nC @ 5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:1800pF @ 30V 功率 - 最大值:- 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:模具 供應商器件封裝:模具 標準包裝:1 EPC2020ENG 功能描述:TRANS GAN 60V 60A BUMPED DIE 制造商:epc 系列:eGaN? 包裝:托盤 零件狀態(tài):無貨 FET 類型:GaNFET N 通道，氮化鎵 FET 功能:標準 漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:60A（Ta） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:2.2 毫歐 @ 31A，5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 16mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:16nC @ 5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:1800pF @ 30V 功率 - 最大值:- 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:模具 供應商器件封裝:模具 標準包裝:10 EPC2020 功能描述:TRANS GAN 60V 90A BUMPED DIE 制造商:epc 系列:eGaN? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類型:GaNFET N 通道，氮化鎵 FET 功能:標準 漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:90A（Ta） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:2.2 毫歐 @ 31A，5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 16mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:16nC @ 5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:1780pF @ 30V 功率 - 最大值:- 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:模具 供應商器件封裝:模具 標準包裝:1 EPC2019ENG 功能描述:TRANS GAN 200V 8.5A BUMPED DIE 制造商:epc 系列:eGaN? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):停產(chǎn) FET 類型:GaNFET N 通道，氮化鎵 FET 功能:標準 漏源極電壓（Vdss）:200V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:8.5A（Ta） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:50 毫歐 @ 7A、5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 1.5mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:2.5nC @ 5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:270pF @ 100V 功率 - 最大值:- 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:模具 供應商器件封裝:模具 標準包裝:1 EPC2019 功能描述:TRANS GAN 200V 8.5A BUMPED DIE 制造商:epc 系列:eGaN? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類型:GaNFET N 通道，氮化鎵 FET 功能:標準 漏源極電壓（Vdss）:200V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:8.5A（Ta） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:50 毫歐 @ 7A、5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 1.5mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:2.5nC @ 5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:270pF @ 100V 功率 - 最大值:- 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:模具 供應商器件封裝:模具 標準包裝:1 EPC2024ENGR EPC2025 EPC2025ENGR EPC2029 EPC2029ENGR EPC2029ENGRT EPC2030 EPC2030ENGR EPC2030ENGRT EPC2031 EPC2031ENGR EPC2031ENGRT EPC2032 EPC2032ENGR EPC2032ENGRT EPC2033 EPC2033ENGR EPC2033ENGRT
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