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EPC2030ENGR

配單專(zhuān)家企業(yè)名單
  • 型號(hào)
  • 供應(yīng)商
  • 數(shù)量
  • 廠商
  • 封裝
  • 批號(hào)
  • 價(jià)格
  • 說(shuō)明
  • 操作
  • EPC2030ENGRT
    EPC2030ENGRT

    EPC2030ENGRT

  • 北京耐芯威科技有限公司
    北京耐芯威科技有限公司

    聯(lián)系人：劉先生

    電話：010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址：北京市海淀區(qū)中關(guān)村大街32號(hào)和盛嘉業(yè)大廈10層1009室

    資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照

  • 0

  • 原廠封裝

  • 10000

  • 16+/17+

  • -

  • 百分百原裝正品假一賠十 電話010-62...

  • EPC2030ENGR
    EPC2030ENGR

    EPC2030ENGR

  • 深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
    深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司

    聯(lián)系人：雷春艷

    電話：19129493934（手機(jī)優(yōu)先微信同號(hào)）0755-83266697

    地址：深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北街道華強(qiáng)北路1016號(hào)寶華大廈A座2028室

    資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照

  • 1700

  • EPC

  • 托盤(pán)

  • 1521+

  • -

  • 全新原裝現(xiàn)貨

  • 1/1頁(yè) 40條/頁(yè) 共7條 
  • 1
EPC2030ENGR PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實(shí)際PDF為準(zhǔn)
  • 功能描述
  • TRANS GAN 40V 31A BUMPED DIE
  • 制造商
  • epc
  • 系列
  • eGaN?
  • 包裝
  • 托盤(pán)
  • 零件狀態(tài)
  • 有效
  • FET 類(lèi)型
  • GaNFET N 通道，氮化鎵
  • FET 功能
  • 標(biāo)準(zhǔn)
  • 漏源極電壓（Vdss）
  • 40V
  • 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）
  • 31A（Ta）
  • 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）
  • 2.4 毫歐 @ 30A，5V
  • 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）
  • 2.5V @ 16mA
  • 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）
  • 18nC @ 5V
  • 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）
  • 1900pF @ 20V
  • 功率 - 最大值
  • -
  • 工作溫度
  • -40°C ~ 150°C（TJ）
  • 安裝類(lèi)型
  • 表面貼裝
  • 封裝/外殼
  • 模具
  • 供應(yīng)商器件封裝
  • 模具
  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝
  • 10
EPC2030ENGR 技術(shù)參數(shù)
  • EPC2030 功能描述:MOSFET NCH 40V 31A DIE 制造商:epc 系列:eGaN? 零件狀態(tài):在售 FET 類(lèi)型:N 溝道 技術(shù):GaNFET（氮化鎵） 漏源電壓（Vdss）:40V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:31A（Ta） 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 16mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）:18nC @ 5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）:1900pF @ 20V FET 功能:- 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:2.4 毫歐 @ 30A，5V 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 EPC2029ENGRT 功能描述:TRANS GAN 80V 31A BUMPED DIE 制造商:epc 系列:eGaN? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):無(wú)貨 FET 類(lèi)型:GaNFET N 通道，氮化鎵 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:80V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:31A（Ta） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:3.2 毫歐 @ 30A，5V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 12mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:13nC @ 5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:1400pF @ 40V 功率 - 最大值:- 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:模具 供應(yīng)商器件封裝:模具 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 EPC2029ENGR 功能描述:TRANS GAN 80V 31A BUMPED DIE 制造商:epc 系列:eGaN? 包裝:托盤(pán) 零件狀態(tài):過(guò)期 FET 類(lèi)型:GaNFET N 通道，氮化鎵 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:80V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:31A（Ta） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:3.2 毫歐 @ 30A，5V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 12mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:13nC @ 5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:1400pF @ 40V 功率 - 最大值:- 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:模具 供應(yīng)商器件封裝:模具 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 EPC2029 功能描述:TRANS GAN 80V 31A BUMPED DIE 制造商:epc 系列:eGaN? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類(lèi)型:GaNFET N 通道，氮化鎵 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:80V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:48A（Ta） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:3.2 毫歐 @ 30A，5V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 12mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:13nC @ 5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:1410pF @ 40V 功率 - 最大值:- 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:模具 供應(yīng)商器件封裝:模具 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 EPC2025ENGR 功能描述:TRANS GAN 300V 4A BUMPED DIE 制造商:epc 系列:eGaN? 包裝:托盤(pán) 零件狀態(tài):有效 FET 類(lèi)型:GaNFET N 通道，氮化鎵 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:300V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:4A（Ta） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:150 毫歐 @ 3A，5V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 1mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:1.85nC @ 5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:194pF @ 240V 功率 - 最大值:- 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:模具 供應(yīng)商器件封裝:模具剖面（12 焊條） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 EPC2033ENGRT EPC2034 EPC2034ENGR EPC2034ENGRT EPC2035 EPC2036 EPC2036ENGRT EPC2037 EPC2037ENGR EPC2038 EPC2038ENGR EPC2039 EPC2039ENGRT EPC2040 EPC2040ENGR EPC2040ENGRT EPC2045ENGRT EPC2046ENGRT
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