EPC2034ENGR

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說明
操作

EPC2034ENGRT
北京耐芯威科技有限公司
北京耐芯威科技有限公司
聯系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀區(qū)中關村大街32號和盛嘉業(yè)大廈10層1009室
資質：營業(yè)執(zhí)照
0
原廠封裝
10000
16+/17+
-
百分百原裝正品假一賠十電話010-62...

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功能描述
TRANS GAN 200V 31A BUMPED DIE
制造商
epc
系列
eGaN?
包裝
托盤
零件狀態(tài)
無貨
FET 類型
GaNFET N 通道，氮化鎵
FET 功能
標準
漏源極電壓（Vdss）
200V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）
31A（Ta）
不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）
10 毫歐 @ 20A，5V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）
2.5V @ 7mA
不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）
8.5nC @ 5V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）
940pF @ 100V
功率 - 最大值
-
工作溫度
-40°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型
表面貼裝
封裝/外殼
模具
供應商器件封裝
模具
標準包裝
10

EPC2034ENGR 技術參數

EPC2034 功能描述:TRANS GAN 200V 48A BUMPED DIE 制造商:epc 系列:eGaN? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道技術:GaNFET (Gallium Nitride) 漏源極電壓（Vdss）:200V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:48A（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:10 毫歐 @ 20A，5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 7mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:8.8nC @ 5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:950pF @ 100V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:* 工作溫度:* 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:模具供應商器件封裝:模具標準包裝:1 EPC2033ENGRT 功能描述:TRANS GAN 150V 31A BUMPED DIE 制造商:epc 系列:eGaN? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效 FET 類型:GaNFET N 通道，氮化鎵 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:150V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:31A（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:7 毫歐 @ 25A，5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 9mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:10nC @ 5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:1140pF @ 75V 功率 - 最大值:- 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:模具供應商器件封裝:模具標準包裝:1 EPC2033ENGR 功能描述:TRANS GAN 150V 31A BUMPED DIE 制造商:epc 系列:eGaN? 包裝:托盤零件狀態(tài):無貨 FET 類型:GaNFET N 通道，氮化鎵 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:150V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:31A（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:7 毫歐 @ 25A，5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 9mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:10nC @ 5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:1140pF @ 75V 功率 - 最大值:- 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:模具供應商器件封裝:模具標準包裝:10 EPC2033 功能描述:TRANS GAN 150V 7MOHM BUMPED DIE 制造商:epc 系列:eGaN? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道技術:GaNFET（氮化鎵）漏源電壓（Vdss）:150V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:31A（Ta）不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 9mA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:10nC @ 5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:1140pF @ 75V FET 功能:- 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:7 毫歐 @ 25A，5V 安裝類型:表面貼裝供應商器件封裝:模具封裝/外殼:模具標準包裝:1 EPC2032ENGRT 功能描述:TRANS GAN 100V 48A BUMPED DIE 制造商:epc 系列:eGaN? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):無貨 FET 類型:GaNFET N 通道，氮化鎵 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:100V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:48A（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:4 毫歐 @ 30A，5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 11mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:15nC @ 5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:1530pF @ 50V 功率 - 最大值:- 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:模具供應商器件封裝:模具標準包裝:1 EPC2039ENGRT EPC2040 EPC2040ENGR EPC2040ENGRT EPC2045ENGRT EPC2046ENGRT EPC2047ENGRT EPC2049ENGRT EPC2100 EPC2100ENG EPC2100ENGRT EPC2101 EPC2101ENG EPC2101ENGRT EPC2102 EPC2102ENG EPC2102ENGRT EPC2103