EPC2031

配單專家企業(yè)名單

型號
供應(yīng)商
數(shù)量
廠商
封裝
批號
價(jià)格
說明
操作

EPC2031
深圳市瑞智芯科技有限公司
深圳市瑞智芯科技有限公司
聯(lián)系人：朱先生
電話：0755-82999903
地址：深圳市福田區(qū)中航路42號中航北苑大廈C座6C3
450
EPC
BGA
21+
-
瑞智芯只做原裝

EPC2031
北京耐芯威科技有限公司
北京耐芯威科技有限公司
聯(lián)系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀區(qū)中關(guān)村大街32號和盛嘉業(yè)大廈10層1009室
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
5000
EPC
模具
21+
-
質(zhì)量保真，價(jià)格實(shí)惠，假一罰十

EPC2031ENGR
深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
聯(lián)系人：雷春艷
電話：19129493934（手機(jī)優(yōu)先微信同號）0755-83266697
地址：深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北街道華強(qiáng)北路1016號寶華大廈A座2028室
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
1200
EPC
托盤
1521+
-
全新原裝現(xiàn)貨

EPC2031
深圳市瑞智芯科技有限公司
深圳市瑞智芯科技有限公司
聯(lián)系人：李先生
電話：0755-8308997518573537851
地址：深圳市福田區(qū)中航路42號中航北苑大廈C座6C3
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
450
EPC
BGA
21
-
瑞智芯只有原裝

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功能描述
MOSFET NCH 60V 31A DIE
制造商
epc
系列
eGaN?
零件狀態(tài)
在售
FET 類型
N 溝道
技術(shù)
GaNFET（氮化鎵）
漏源電壓（Vdss）
60V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）
31A（Ta）
不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）
2.5V @ 15mA
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）
17nC @ 5V
不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）
1800pF @ 300V
FET 功能
-
不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）
2.6 毫歐 @ 30A，5V
工作溫度
-40°C ~ 150°C（TJ）
標(biāo)準(zhǔn)包裝
1

EPC2031 技術(shù)參數(shù)

EPC2030ENGRT 功能描述:TRANS GAN 40V 2.4MOHM BUMPED DIE 制造商:epc 系列:eGaN? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):新產(chǎn)品 FET 類型:GaNFET N 通道，氮化鎵 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:40V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:31A（Ta）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:2.4 毫歐 @ 30A，5V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 16mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:18nC @ 5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:1900pF @ 20V 功率 - 最大值:- 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:模具供應(yīng)商器件封裝:模具標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 EPC2030ENGR 功能描述:TRANS GAN 40V 31A BUMPED DIE 制造商:epc 系列:eGaN? 包裝:托盤零件狀態(tài):有效 FET 類型:GaNFET N 通道，氮化鎵 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:40V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:31A（Ta）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:2.4 毫歐 @ 30A，5V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 16mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:18nC @ 5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:1900pF @ 20V 功率 - 最大值:- 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:模具供應(yīng)商器件封裝:模具標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 EPC2030 功能描述:MOSFET NCH 40V 31A DIE 制造商:epc 系列:eGaN? 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道技術(shù):GaNFET（氮化鎵）漏源電壓（Vdss）:40V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:31A（Ta）不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 16mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）:18nC @ 5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）:1900pF @ 20V FET 功能:- 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:2.4 毫歐 @ 30A，5V 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ）標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 EPC2029ENGRT 功能描述:TRANS GAN 80V 31A BUMPED DIE 制造商:epc 系列:eGaN? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):無貨 FET 類型:GaNFET N 通道，氮化鎵 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:80V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:31A（Ta）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:3.2 毫歐 @ 30A，5V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 12mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:13nC @ 5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:1400pF @ 40V 功率 - 最大值:- 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:模具供應(yīng)商器件封裝:模具標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 EPC2029ENGR 功能描述:TRANS GAN 80V 31A BUMPED DIE 制造商:epc 系列:eGaN? 包裝:托盤零件狀態(tài):過期 FET 類型:GaNFET N 通道，氮化鎵 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:80V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:31A（Ta）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:3.2 毫歐 @ 30A，5V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 12mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:13nC @ 5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:1400pF @ 40V 功率 - 最大值:- 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:模具供應(yīng)商器件封裝:模具標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 EPC2034ENGR EPC2034ENGRT EPC2035 EPC2036 EPC2036ENGRT EPC2037 EPC2037ENGR EPC2038 EPC2038ENGR EPC2039 EPC2039ENGRT EPC2040 EPC2040ENGR EPC2040ENGRT EPC2045ENGRT EPC2046ENGRT EPC2047ENGRT EPC2049ENGRT