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EPC2016

配單專家企業(yè)名單
  • 型號
  • 供應(yīng)商
  • 數(shù)量
  • 廠商
  • 封裝
  • 批號
  • 價(jià)格
  • 說明
  • 操作
  • EPC2016C
    EPC2016C

    EPC2016C

  • 北京耐芯威科技有限公司
    北京耐芯威科技有限公司

    聯(lián)系人：劉先生

    電話：010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址：北京市海淀區(qū)中關(guān)村大街32號和盛嘉業(yè)大廈10層1009室

    資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照

  • 0

  • 原廠封裝

  • 10000

  • 16+/17+

  • -

  • 百分百原裝正品假一賠十 電話010-62...

  • EPC2016
    EPC2016

    EPC2016

  • 深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
    深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司

    聯(lián)系人：雷春艷

    電話：19129493934（手機(jī)優(yōu)先微信同號）0755-83266697

    地址：深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北街道華強(qiáng)北路1016號寶華大廈A座2028室

    資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照

  • 2810

  • EPC

  • 剪切帶（CT

  • 1521+

  • -

  • 全新原裝現(xiàn)貨

  • EPC2016C
    EPC2016C

    EPC2016C

  • 深圳市瑞智芯科技有限公司
    深圳市瑞智芯科技有限公司

    聯(lián)系人：朱先生

    電話：0755-82999903

    地址：深圳市福田區(qū)中航路42號中航北苑大廈C座6C3

  • 102634

  • EPC

  • LGA

  • 19+

  • -

  • 瑞智芯只做原裝

  • 1/1頁 40條/頁 共40條 
  • 1
EPC2016 PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實(shí)際PDF為準(zhǔn)
  • 制造商
  • Efficient Power Conversion
  • 功能描述
  • TRANS GAN 100V 11A BUMPED DIE
EPC2016 技術(shù)參數(shù)
  • EPC2015CENGR 功能描述:TRANS GAN 40V 36A BUMPED DIE 制造商:epc 系列:eGaN? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類型:GaNFET N 通道，氮化鎵 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:40V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:36A（Ta） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:4 毫歐 @ 33A，5V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 9mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:8.7nC @ 5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:1000pF @ 20V 功率 - 最大值:- 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:模具 供應(yīng)商器件封裝:模具剖面（11 焊條） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 EPC2015C 功能描述:TRANS GAN 40V 33A BUMPED DIE 制造商:epc 系列:eGaN? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類型:GaNFET N 通道，氮化鎵 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:40V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:36A（Ta） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:4 毫歐 @ 33A，5V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 9mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:8.7nC @ 5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:1000pF @ 20V 功率 - 最大值:- 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:模具 供應(yīng)商器件封裝:模具 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 EPC2015 功能描述:TRANS GAN 40V 33A BUMPED DIE 制造商:epc 系列:eGaN? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類型:GaNFET N 通道，氮化鎵 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:40V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:33A（Ta） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:4 毫歐 @ 33A，5V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 9mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:11.6nC @ 5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:1200pF @ 20V 功率 - 最大值:- 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:模具 供應(yīng)商器件封裝:模具剖面（11 焊條） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 EPC2014C 功能描述:TRANS GAN 40V 10A BUMPED DIE 制造商:epc 系列:eGaN? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類型:GaNFET N 通道，氮化鎵 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:40V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:10A（Ta） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:16 毫歐 @ 10A， 5V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 2mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:2.5nC @ 5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:300pF @ 20V 功率 - 最大值:- 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:模具 供應(yīng)商器件封裝:模具剖面（5 焊條） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 EPC2014 功能描述:TRANS GAN 40V 10A BUMPED DIE 制造商:epc 系列:eGaN? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類型:GaNFET N 通道，氮化鎵 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:40V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:10A（Ta） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:16 毫歐 @ 5A，5V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 2mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:2.8nC @ 5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:325pF @ 20V 功率 - 最大值:- 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:模具 供應(yīng)商器件封裝:模具剖面（5 焊條） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 EPC2021ENGR EPC2022 EPC2022ENGRT EPC2023 EPC2023ENG EPC2023ENGR EPC2024 EPC2024ENG EPC2024ENGR EPC2025 EPC2025ENGR EPC2029 EPC2029ENGR EPC2029ENGRT EPC2030 EPC2030ENGR EPC2030ENGRT EPC2031
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