參數(shù)資料
型號(hào)： W9412G6CH-5
廠商： WINBOND ELECTRONICS CORP
元件分類： DRAM
英文描述： 8M X 16 DDR DRAM, 0.7 ns, PDSO66
封裝： 0.400 INCH, 0.65 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, TSOP2-66
文件頁(yè)數(shù)： 48/55頁(yè)
文件大?。?/td> 2011K
代理商： W9412G6CH-5
W9412G6CH
Publication Release Date:Nov. 19, 2007
- 52 -
Revision A07
11.23 Auto Refresh Cycle
CMD
CLK
PREA
AREF
CMD
NOP
tRP
tRFC
Note: CKE has to be kept “High” level for Auto-Refresh cycle.
11.24 Precharged/Active Power Down Mode Entry and Exit Timing
CMD
CLK
NOP
CMD
NOP
Exit
Entry
CMD
NOP
tIH
tIS
tCK
tIH
tIS
CKE
Precharge/Activate
Note 1,2
Note:
1. If power down occurs when all banks are idle, this mode is referred to as precharge power down.
2. If power down occurs when there is a row active in any bank, this mode is referred to as active power down.
11.25 Input Clock Frequency Change during Precharge Power Down Mode Timing
NOP
DLL
RESET
NOP
CMD
200 clocks
tIS
Frequency Change
Occurs here
Minmum 2 clocks
required before
changing frequency
Stable new clock
before power down exit
CLK
CMD
CKE
tRP
相關(guān)PDF資料
PDF描述
W942504CH-7 64M X 4 DDR DRAM, 0.75 ns, PDSO66
W9864G6IH-6 4M X 16 DDR DRAM, 5 ns, PDSO54
WA-1RX33-A4 SNAP ACTING/LIMIT SWITCH
WA-A325CBM Peripheral Interface
WA-A325CPC Peripheral Interface
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
W9412G6IH 制造商:WINBOND 制造商全稱:Winbond 功能描述:2M × 4 BANKS × 16 BITS DDR SDRAM
W9412G6IH-5 功能描述:IC DDR-400 SDRAM 128MB 66TSSOPII RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:EEPROMs - 串行 存儲(chǔ)器類型:EEPROM 存儲(chǔ)容量:4K (512 x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 線串口 電源電壓:2.7 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-SOIC（0.173"，4.40mm 寬） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-MFP 包裝:帶卷 (TR)
W9412G6JH 制造商:WINBOND 制造商全稱:Winbond 功能描述:2M ? 4 BANKS ? 16 BITS DDR SDRAM
W9412G6JH-4 制造商:Winbond Electronics Corp 功能描述:8*16B DDR1 制造商:Winbond Electronics Corp 功能描述:IC DDR SDRAM 128M 250MHZ 66TSOP
W9412G6JH-5 制造商:Winbond Electronics Corp 功能描述:DRAM Chip DDR SDRAM 128M-Bit 8Mx16 2.5V 66-Pin TSOP 制造商:Winbond Electronics Corp 功能描述:128M BIT DDR1
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