- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄300083 > V58C2512404SAT5I (PROMOS TECHNOLOGIES INC) 128M X 4 DDR DRAM, 0.65 ns, PDSO66 PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | V58C2512404SAT5I |
| 廠商： | PROMOS TECHNOLOGIES INC |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 128M X 4 DDR DRAM, 0.65 ns, PDSO66 |
| 封裝： | 0.400 X 0.875 INCH, PLASTIC, MS-024FC, TSOP2-66 |
| 文件頁數(shù)： | 13/60頁 |
| 文件大?。?/td> | 914K |
| 代理商： | V58C2512404SAT5I |
第1頁第2頁第3頁第4頁第5頁第6頁第7頁第8頁第9頁第10頁第11頁第12頁當前第13頁第14頁第15頁第16頁第17頁第18頁第19頁第20頁第21頁第22頁第23頁第24頁第25頁第26頁第27頁第28頁第29頁第30頁第31頁第32頁第33頁第34頁第35頁第36頁第37頁第38頁第39頁第40頁第41頁第42頁第43頁第44頁第45頁第46頁第47頁第48頁第49頁第50頁第51頁第52頁第53頁第54頁第55頁第56頁第57頁第58頁第59頁第60頁
20
V58C2512(804/404/164)SA*I Rev. 1.6 May 2007
ProMOS TECHNOLOGIES
V58C2512(804/404/164)SA*I
Burst Write Timing
Once the burst of write data is concluded and given that no subsequent burst write operations are initiated,
the data strobe signal (DQS) transitions from a logic low level back to Hi-Z. This is referred to as the data
strobe “write postamble”. This transition happens nominally one-half clock period after the last data of the
burst cycle is latched into the device.
Once the burst of write data is concluded and given that no subsequent burst write operations are initiated,
(CAS Latency = Any; Burst Length = 4)
T0
T1
T2
T3
T4
WRITE
NOP
D0
D1
D2
D3
CK, CK
Command
DQS(nom)
DQ(nom)
tWPRES
tDQSS
tWPST
tDH
D0
D1
D2
D3
DQS(min)
DQ(min)
tDQSS(min)
D0
D1
D2
D3
DQS(max)
DQ(max)
tWPRES(min)
tDQSS(max)
tDS
tDH
tWPRES
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| V59C1G01408QAJ37E | 256M X 4 DDR DRAM, 0.5 ns, PBGA68 |
| V59C1G01408QAJ37I | 256M X 4 DDR DRAM, 0.5 ns, PBGA68 |
| V5D010EB4D | SNAP ACTING/LIMIT SWITCH, SPDT, MOMENTARY, 0.5A, 125VDC, 4.4mm, PANEL MOUNT |
| V5F110CB | SNAP ACTING/LIMIT SWITCH, SPDT, MOMENTARY, PANEL MOUNT |
| V5PNF | CABLE TERMINATED, FEMALE, N CONNECTOR, THREAD-IN STUB SELF-FLARE |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| V58C265164S | 制造商:MOSEL 制造商全稱:MOSEL 功能描述:64 Mbit DDR SDRAM 2.5 VOLT 4M X 16 |
| V58C265404S | 制造商:MOSEL 制造商全稱:MOSEL 功能描述:HIGH PERFORMANCE 2.5 VOLT 16M X 4 DDR SDRAM 4 BANKS X 4Mbit X 4 |
| V58C265804S | 制造商:MOSEL 制造商全稱:MOSEL 功能描述:HIGH PERFORMANCE 2.5 VOLT 8M X 8 DDR SDRAM 4 BANKS X 2Mbit X 8 |
| V58C3643204SAT | 制造商:MOSEL 制造商全稱:MOSEL 功能描述:HIGH PERFORMANCE 3.3 VOLT 2M X 32 DDR SDRAM 4 X 512K X 32 |
| V58C365164S | 制造商:MOSEL 制造商全稱:MOSEL 功能描述:64 Mbit DDR SDRAM 4M X 16, 3.3VOLT |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。