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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | UPD780076 |
| 廠商： | NEC Corp. |
| 元件分類： | 8位微控制器 |
| 英文描述： | 8-Bit Single-Chip Microcontrollers |
| 中文描述： | 8位單芯片微控制器 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 489/592頁(yè) |
| 文件大小： | 3307K |
| 代理商： | UPD780076 |
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489
CHAPTER 25 ELECTRICAL SPECIFICATIONS (EXPANDED-SPECIFICATION PRODUCTS OF
μ
PD780076, 780078, 78F0078)
User’s Manual U14260EJ3V1UD
Data Memory STOP Mode Low Supply Voltage Data Retention Characteristics (T
A
=
–
40 to +85
°
C)
Parameter
Symbol
Conditions
MIN.
TYP.
MAX.
Unit
Data retention power
supply voltage
V
DDDR
1.6
5.5
V
Data retention power
supply current
I
DDDR
Subsystem clock stop (XT1 = V
DD
) and
feedback resistor disconnected
0.1
30
μ
A
Release signal set time
t
SREL
0
μ
s
Oscillation stabilization
wait time
t
WAIT
Release by RESET
2
17
/fx
s
Release by interrupt request
Note
s
Note
Selection of 2
12
/f
X
and 2
14
/f
X
to 2
17
/f
X
is possible using bits 0 to 2 (OSTS0 to OSTS2) of the oscillation
stabilization time select register (OSTS).
Flash Memory Programming Characteristics (T
A
= +10 to +40
°
C, V
DD
= 2.7 to 5.5 V, V
SS
= AV
SS
= 0 V)
(1) Write erase characteristics
Parameter
Symbol
Conditions
MIN.
TYP.
MAX.
Unit
Operating frequency
f
X
4.5 V
≤
V
DD
≤
5.5 V
1.0
10.0
MHz
3.0 V
≤
V
DD
< 4.5 V
1.0
8.38
MHz
2.7 V
≤
V
DD
< 3.0 V
1.0
5.00
MHz
V
PP
supply voltage
V
PP2
During flash memory programming
9.7
10.0
10.3
V
V
DD
supply current
I
DD
When
V
PP
= V
PP2
f
X
= 8.38 MHz
f
X
= 10.0 MHz
V
DD
= 5.0 V
±
10%
29
mA
V
DD
= 5.0 V
±
10%
24
mA
V
DD
= 3.0 V
±
10%
17
mA
V
PP
supply current
I
PP
When V
PP
= V
PP2
75
100
mA
Step erase time
Note 1
T
er
0.99
1.0
1.01
s
Overall erase time per area
Note 2
T
era
When step erase time = 1 s
20
s/area
Step write time
T
wr
50
100
μ
s
Overall write time per word
Note 3
T
wrw
When step write time = 100
μ
s
1000
μ
s
Number of rewrites per area
Note 4
C
erwr
1 erase + 1 write after erase = 1 rewrite
20
Times/area
Notes
1.
The recommended setting value of the step erase time is 1 s.
2.
The prewrite time before erasure and the erase verify time (writeback time) are not included.
3.
The actual write time per word is 100
μ
s longer. The internal verify time during or after a write is not
included.
4.
When a product is first written after shipment, “erase
→
write” and “write only” are both taken as one
rewrite.
Example:
P: Write, E: Erase
Shipped product
→
P
→
E
→
P
→
E
→
P: 3 rewrites
Shipped product
→
E
→
P
→
E
→
P
→
E
→
P: 3 rewrites
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