參數(shù)資料
型號： UPD44647094F5-E30-FQ1
元件分類： SRAM
英文描述： 8M X 9 QDR SRAM, 0.45 ns, PBGA165
封裝： 15 X 17 MM, PLASTIC, BGA-165
文件頁數(shù)： 9/36頁
文件大?。?/td> 479K
代理商： UPD44647094F5-E30-FQ1
17
Preliminary Data Sheet M18526EJ1V0DS
μPD44647094,44647184,44647364, 44647096,44647186,44647366
Read and Write Cycle
Parameter
Symbol
-E25
Note1
-E27
-E30
-E33
Unit
Note
(400 MHz)
(375 MHz)
(333 MHz)
(300 MHz)
MIN.
MAX.
MIN.
MAX.
MIN.
MAX.
MIN.
MAX.
Clock
Average Clock cycle time (K, K#)
TKHKH
2.5
3.25
2.66
3.46
3.0
3.9
3.3
4.2
ns
2
Clock phase jitter (K, K#)
TKC var
–
0.20
–
0.20
–
0.20
–
0.20
ns
3
Clock HIGH time (K, K#)
TKHKL
0.4
–
0.4
–
0.4
–
0.4
–
TKHKH
Clock LOW time (K, K#)
TKLKH
0.4
–
0.4
–
0.4
–
0.4
–
TKHKH
Clock HIGH to Clock# HIGH
(K
→ K#)
TKHK#H
1.06
–
1.13
–
1.28
–
1.40
–
ns
Clock# HIGH to Clock HIGH
(K#
→ K)
TK#HKH
1.06
–
1.13
–
1.28
–
1.40
–
ns
DLL/PLL lock time (K)
TKC lock
2,048
–
2,048
–
2,048
–
2,048
–
Cycle
4
K static to DLL/PLL reset
TKC reset
30
–
30
–
30
–
30
–
ns
5
Output Times
CQ HIGH to CQ# HIGH (CQ
→ CQ#) TCQHCQ#H
0.9
–
0.98
–
1.15
–
1.3
ns
6
CQ# HIGH to CQ HIGH (CQ#
→ CQ) TCQ#HCQH
0.9
–
0.98
–
1.15
–
1.3
–
ns
6
K, K# HIGH to output valid
TKHQV
–
0.45
–
0.45
–
0.45
–
0.45
ns
K, K# HIGH to output hold
TKHQX
– 0.45
–
– 0.45
–
– 0.45
–
– 0.45
–
ns
K, K# HIGH to echo clock valid
TKHCQV
–
0.45
–
0.45
–
0.45
–
0.45
ns
K, K# HIGH to echo clock hold
TKHCQX
– 0.45
–
– 0.45
–
– 0.45
–
– 0.45
–
ns
CQ, CQ# HIGH to output valid
TCQHQV
–
0.20
–
0.20
–
0.20
–
0.20
ns
7
CQ, CQ# HIGH to output hold
TCQHQX
– 0.20
–
– 0.20
–
– 0.20
–
– 0.20
–
ns
7
K HIGH to output High-Z
TKHQZ
–
0.45
–
0.45
–
0.45
–
0.45
ns
K HIGH to output Low-Z
TKHQX1
– 0.45
–
– 0.45
–
– 0.45
–
– 0.45
–
ns
CQ, CQ# HIGH to QVLD valid
TCQHQVLD – 0.20
0.20
– 0.20
0.20
– 0.20 – 0.20 – 0.20
0.20
ns
Setup Times
Address valid to K rising edge
TAVKH
0.4
–
0.4
–
0.4
–
0.4
–
ns
8
Control inputs (R#, W#) valid to K
rising edge
TIVKH
0.4
–
0.4
–
0.4
–
0.4
–
ns
8
Data inputs and write data select
inputs (BWx#) valid to
K, K# rising edge
TDVKH
0.28
–
0.28
–
0.28
–
0.28
–
ns
8
Hold Times
K rising edge to address hold
TKHAX
0.4
–
0.4
–
0.4
–
0.4
–
ns
8
K rising edge to control inputs (R#,
W#) hold
TKHIX
0.4
–
0.4
–
0.4
–
0.4
–
ns
8
K, K# rising edge to data inputs and
write data select inputs (BWx#) hold
TKHDX
0.28
–
0.28
–
0.28
–
0.28
–
ns
8
Notes 1. -E25 is valid for 2.5 Cycle Read Latency products.
2. When debugging the system or board, these products can operate at a clock frequency slower than TKHKH
(MAX.) without the DLL/PLL circuit being used, if DLL# = LOW. Read latency (RL) is changed to 1.0 clock
regardless of RL = 2.0 and 2.5 clock products in this operation. The AC/DC characteristics cannot be
guaranteed, however.
3. Clock phase jitter is the variance from clock rising edge to the next expected clock rising edge. TKC var
(MAX.) indicates a peak-to-peak value.
4. VDD slew rate must be less than 0.1 V DC per 50 ns for DLL/PLL lock retention.
DLL/PLL lock time begins once VDD and input clock are stable.
It is recommended that the device is kept NOP (R# = W# = HIGH) during these cycles.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
UPD4482321GF-A65-A 256K X 32 CACHE SRAM, 6.5 ns, PQFP100
UPD4502161G5-A10-7JF x16 SDRAM
UPD4502161G5-A12-7JF x16 SDRAM
UPD45125161G5-A10-9JF Virtual Channel SDRAM
UPD45125161G5-A75-9JF Virtual Channel SDRAM
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
UPD44647186AF5-E22-FQ1 功能描述:SRAM QDRII 72MBIT 165-PBGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:1,000 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 雙端口，同步 存儲容量:1.125M（32K x 36） 速度:5ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3.15 V ~ 3.45 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:256-LBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:256-CABGA（17x17） 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:70V3579S5BCI8
UPD44647186AF5-E22-FQ1-A 功能描述:SRAM QDRII 72MBIT 165-PBGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:3,000 系列:- 格式 - 存儲器:EEPROMs - 串行 存儲器類型:EEPROM 存儲容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 線串口 電源電壓:1.7 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-SOIC 包裝:帶卷 (TR)
UPD44647186AF5-E25-FQ1 功能描述:SRAM QDRII 72MBIT 165-PBGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:3,000 系列:- 格式 - 存儲器:EEPROMs - 串行 存儲器類型:EEPROM 存儲容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 線串口 電源電壓:1.7 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-SOIC 包裝:帶卷 (TR)
UPD44647186AF5-E25-FQ1-A 功能描述:SRAM QDRII 72MBIT 165-PBGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:3,000 系列:- 格式 - 存儲器:EEPROMs - 串行 存儲器類型:EEPROM 存儲容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 線串口 電源電壓:1.7 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-SOIC 包裝:帶卷 (TR)
UPD44647366AF5-E22-FQ1 功能描述:SRAM QDRII 72MBIT 165-PBGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:3,000 系列:- 格式 - 存儲器:EEPROMs - 串行 存儲器類型:EEPROM 存儲容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 線串口 電源電壓:1.7 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-SOIC 包裝:帶卷 (TR)
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

*型號 *數(shù)量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*