- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄300064 > UPD44647094F5-E30-FQ1 8M X 9 QDR SRAM, 0.45 ns, PBGA165 PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | UPD44647094F5-E30-FQ1 |
| 元件分類： | SRAM |
| 英文描述： | 8M X 9 QDR SRAM, 0.45 ns, PBGA165 |
| 封裝： | 15 X 17 MM, PLASTIC, BGA-165 |
| 文件頁數(shù)： | 4/36頁 |
| 文件大?。?/td> | 479K |
| 代理商： | UPD44647094F5-E30-FQ1 |
第1頁第2頁第3頁當前第4頁第5頁第6頁第7頁第8頁第9頁第10頁第11頁第12頁第13頁第14頁第15頁第16頁第17頁第18頁第19頁第20頁第21頁第22頁第23頁第24頁第25頁第26頁第27頁第28頁第29頁第30頁第31頁第32頁第33頁第34頁第35頁第36頁
12
Preliminary Data Sheet M18526EJ1V0DS
μPD44647094,44647184,44647364, 44647096,44647186,44647366
Byte Write Operation
[
μPD44647094], [μPD44647096]
Operation
K
K#
BW0#
Write D0 to D8
L
→ H
–
0
–
L
→ H
0
Write nothing
L
→ H
–
1
–
L
→ H
1
Remarks 1. H : HIGH, L : LOW,
→ : rising edge.
2. Assumes a WRITE cycle was initiated. BW0# can be altered for any portion of the BURST WRITE
operation provided that the setup and hold requirements are satisfied.
[
μPD44647184], [μPD44647186]
Operation
K
K#
BW0#
BW1#
Write D0 to D17
L
→ H
–
0
–
L
→ H
0
Write D0 to D8
L
→ H
–
0
1
–
L
→ H
0
1
Write D9 to D17
L
→ H
–
1
0
–
L
→ H
1
0
Write nothing
L
→ H
–
1
–
L
→ H
1
Remarks 1. H : HIGH, L : LOW,
→ : rising edge.
2. Assumes a WRITE cycle was initiated. BW0# and BW1# can be altered for any portion of the BURST
WRITE operation provided that the setup and hold requirements are satisfied.
[
μPD44647364], [μPD44647366]
Operation
K
K#
BW0#
BW1#
BW2#
BW3#
Write D0 to D35
L
→ H
–
0
–
L
→ H
0
Write D0 to D8
L
→ H
–
0
1
–
L
→ H
0
1
Write D9 to D17
L
→ H
–
1
0
1
–
L
→ H
1
0
1
Write D18 to D26
L
→ H
–
1
0
1
–
L
→ H
1
0
1
Write D27 to D35
L
→ H
–
1
0
–
L
→ H
1
0
Write nothing
L
→ H
–
1
–
L
→ H
1
Remarks 1. H : HIGH, L : LOW,
→ : rising edge.
2. Assumes a WRITE cycle was initiated. BW0# to BW3# can be altered for any portion of the BURST
WRITE operation provided that the setup and hold requirements are satisfied.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| UPD4482321GF-A65-A | 256K X 32 CACHE SRAM, 6.5 ns, PQFP100 |
| UPD4502161G5-A10-7JF | x16 SDRAM |
| UPD4502161G5-A12-7JF | x16 SDRAM |
| UPD45125161G5-A10-9JF | Virtual Channel SDRAM |
| UPD45125161G5-A75-9JF | Virtual Channel SDRAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| UPD44647186AF5-E22-FQ1 | 功能描述:SRAM QDRII 72MBIT 165-PBGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:1,000 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 雙端口，同步 存儲容量:1.125M（32K x 36） 速度:5ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3.15 V ~ 3.45 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:256-LBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:256-CABGA（17x17） 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:70V3579S5BCI8 |
| UPD44647186AF5-E22-FQ1-A | 功能描述:SRAM QDRII 72MBIT 165-PBGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:3,000 系列:- 格式 - 存儲器:EEPROMs - 串行 存儲器類型:EEPROM 存儲容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 線串口 電源電壓:1.7 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-SOIC 包裝:帶卷 (TR) |
| UPD44647186AF5-E25-FQ1 | 功能描述:SRAM QDRII 72MBIT 165-PBGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:3,000 系列:- 格式 - 存儲器:EEPROMs - 串行 存儲器類型:EEPROM 存儲容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 線串口 電源電壓:1.7 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-SOIC 包裝:帶卷 (TR) |
| UPD44647186AF5-E25-FQ1-A | 功能描述:SRAM QDRII 72MBIT 165-PBGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:3,000 系列:- 格式 - 存儲器:EEPROMs - 串行 存儲器類型:EEPROM 存儲容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 線串口 電源電壓:1.7 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-SOIC 包裝:帶卷 (TR) |
| UPD44647366AF5-E22-FQ1 | 功能描述:SRAM QDRII 72MBIT 165-PBGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:3,000 系列:- 格式 - 存儲器:EEPROMs - 串行 存儲器類型:EEPROM 存儲容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 線串口 電源電壓:1.7 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-SOIC 包裝:帶卷 (TR) |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。