參數(shù)資料
型號(hào)： SI9925DY
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： 小信號(hào)晶體管
英文描述： N-channel enhancement mode field-effect transistor
中文描述： 5000 mA, 20 V, 2 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, MS-012
封裝： PLASTIC, SO-8
文件頁(yè)數(shù)： 6/13頁(yè)
文件大?。?/td> 272K
代理商： SI9925DY
Philips Semiconductors
Si9925DY
N-channel enhancement mode field-effect transistor
Product data
Rev. 01 — 20 July 2001
6 of 13
9397 750 08415
Philips Electronics N.V. 2001. All rights reserved.
T
j
= 25
°
C
Output characteristics: drain current as a
function of drain-source voltage; typical values.
T
j
= 25
°
C and 150
°
C; V
DS
>
I
D
×
R
DSon
Fig 6.
Transfer characteristics: drain current as a
function of gate-source voltage; typical values.
Fig 5.
T
j
= 25
°
C
Fig 7.
Drain-source on-state resistance as a function
of drain current; typical values.
Fig 8.
Normalized drain-source on-state resistance
factor as a function of junction temperature.
03ag08
0
10
20
30
40
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
V
DS
(V)
I
D
(A)
3.5 V
5 V
4.5 V
4 V
3 V
V
GS =
2 V
2.5 V
T
j
= 25 oC
03ag10
0
10
20
30
40
I
D
(A)
0
1
2
3
4
5
V
GS
(V)
6
V
DS
> I
D
x R
DSon
T
j
= 150 oC
25 oC
03ag09
0
0.02
0.04
0.06
0.08
0
10
20
30
40
I
D
(A)
R
DSon
(
)
T
j
= 25 oC
V
GS
= 3 V
5 V
4.5 V
4 V
3.5 V
03ad57
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2
-60
0
60
120
180
T
j
(oC)
a
a
R
DSon 25 C
°
)
---------------------------
=
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