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參數(shù)資料
| 型號： | SI9925DY |
| 廠商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | N-channel enhancement mode field-effect transistor |
| 中文描述： | 5000 mA, 20 V, 2 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, MS-012 |
| 封裝： | PLASTIC, SO-8 |
| 文件頁數(shù)： | 10/13頁 |
| 文件大?。?/td> | 272K |
| 代理商： | SI9925DY |
Philips Semiconductors
Si9925DY
N-channel enhancement mode field-effect transistor
Product data
Rev. 01 — 20 July 2001
10 of 13
9397 750 08415
Philips Electronics N.V. 2001. All rights reserved.
10. Revision history
Table 6:
Rev Date
01
Revision history
CPCN
20010720
Description
Product data; initial version
-
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SI9947DY | Dual P-Channel Enhancement-Mode MOSFET |
| SI9956DY | N-channel enhancement mode field-effect transistor |
| SIDAC | silicon bilateral voltage triggered switch |
| SIM-080CYU | LED DOT MATRIX MODULE |
| SIM-128CAH | LED DOT MATRIX MODULE |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| SI9925DY-T1 | 制造商:Vishay Angstrohm 功能描述:Trans MOSFET N-CH 20V 5A 8-Pin SOIC N T/R 制造商:Vishay Angstrohm 功能描述:380942 |
| SI9926ADY | 功能描述:MOSFET NCH DUAL MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| SI9926ADY-E3 | 功能描述:MOSFET NCh Dual MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| SI9926ADY-T1 | 制造商:Vishay Angstrohm 功能描述:Trans MOSFET N-CH 20V 4.8A 8-Pin SOIC N T/R |
| SI9926ADY-T1-E3 | 功能描述:MOSFET 20 Volt 6.0 Amp 2.0W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
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