參數(shù)資料
型號： SI9925DY
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： N-channel enhancement mode field-effect transistor
中文描述： 5000 mA, 20 V, 2 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, MS-012
封裝： PLASTIC, SO-8
文件頁數(shù)： 3/13頁
文件大小： 272K
代理商： SI9925DY
Philips Semiconductors
Si9925DY
N-channel enhancement mode field-effect transistor
Product data
Rev. 01 — 20 July 2001
3 of 13
9397 750 08415
Philips Electronics N.V. 2001. All rights reserved.
Fig 1.
Normalized total power dissipation as a
function of mounting base temperature.
Fig 2.
Normalized continuous drain current as a
function of mounting base temperature.
T
amb
= 25
°
C; I
DM
is single pulse.
Fig 3.
Safe operating area; continuous and peak drain currents as a function of drain-source voltage.
03aa11
0
20
40
60
80
100
120
0
25
50
75
100
125
150
175
T
amb
(
o
C)
P
der
(%)
03aa19
0
20
40
60
80
100
120
0
25
50
75
100
125
150
175
T
amb
(
o
C)
I
der
(%)
P
der
P
tot 25 C
°
)
----------------------
100
%
×
=
I
der
I
D 25 C
°
)
------------------
100
%
×
=
03ag07
10
-2
10
1
10
10
2
10
-1
1
10
10
2
V
DS
(V)
I
D
(A)
D.C.
100 ms
10 ms
R
DSon
= V
DS
/ I
D
1 ms
tp = 10 μs
10 s
tp
tp
T
T
P
t
δ
=
相關(guān)PDF資料
PDF描述
SI9947DY Dual P-Channel Enhancement-Mode MOSFET
SI9956DY N-channel enhancement mode field-effect transistor
SIDAC silicon bilateral voltage triggered switch
SIM-080CYU LED DOT MATRIX MODULE
SIM-128CAH LED DOT MATRIX MODULE
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
SI9925DY-T1 制造商:Vishay Angstrohm 功能描述:Trans MOSFET N-CH 20V 5A 8-Pin SOIC N T/R 制造商:Vishay Angstrohm 功能描述:380942
SI9926ADY 功能描述:MOSFET NCH DUAL MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SI9926ADY-E3 功能描述:MOSFET NCh Dual MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SI9926ADY-T1 制造商:Vishay Angstrohm 功能描述:Trans MOSFET N-CH 20V 4.8A 8-Pin SOIC N T/R
SI9926ADY-T1-E3 功能描述:MOSFET 20 Volt 6.0 Amp 2.0W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

*型號 *數(shù)量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*